[发明专利]图像感测装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，特别涉及一种图像感测装置。

背景技术

半导体图像感测装置用于感测例如光的辐射线。互补式金属氧化物半导体晶体管(CMOS)图像传感器(CIS)和电荷耦合元件(CCD)传感器广泛地使用于例如数码摄像机或移动电话的摄像机元件等不同方面的应用。上述元件使用基板中的像素矩阵，其包括光二极管和晶体管，上述光二极管和晶体管可以吸收朝基板投射的辐射线，且将感测的辐射线转换为电子信号。然而，当图像传感器中的一像素吸收到预期朝向另一像素投射的光时，图像传感器会产生干扰信号。这种干扰信号可视为光学串扰(optical cross-talk)，光学串扰会使图像传感器的性能变差。另外，图像传感器可包括位于周边区中的元件，上述元件需保持光学上的黑暗(optically dark)。当位于周边区中的上述元件暴露在光中时，也会使其性能变差且会产生干扰信号。就背照式图像传感器(BSIimage sensor)而言，前述问题会特别明显。因此，公知图像传感器的制造方法已可以满足一般需求，但却不能完全满足各方面的需求。

发明内容

为解决前述问题，本发明的一实施例提供一种图像感测装置的制造方法，包括提供一装置基板，其具有一前侧和一后侧；于上述装置基板中形成一第一辐射线感测区和一第二辐射线感测区，上述第一辐射线感测区和上述第二辐射线感测区以一隔绝结构隔开；于上述装置基板的上述后侧上方形成一透明层；于上述透明层中形成一开口，上述开口对准上述隔绝结构；利用一不透明材料填入上述开口。

本发明的另一实施例提供一种图像感测装置的制造方法，包括提供一装置基板，其具有一前侧和一后侧；于上述装置基板中形成一辐射线感测区；于上述装置基板的上述后侧上方形成一透明层；图案化上述透明层，以形成一透明物和邻接于上述透明物的一开口，上述透明物对准上述辐射线感测区，且上述开口对准上述隔绝结构；利用一不透明材料填入上述开口。

本发明的又一实施例提供一种图像感测装置，包括一装置基板，其具有一前侧和一后侧；一辐射线感测区，形成于上述装置基板中；一透明物，形成于上述装置基板的上述后侧的上方，上述透明物对准上述辐射线感测区；一不透明物，形成于上述装置基板的上述后侧的上方，且邻接于上述透明物，其中上述透明物的一表面和上述不透明物的一表面共平面，且其中上述辐射线感测区、上述透明物和上述不透明物形成于上述图像感测装置的一像素区中，上述图像感测装置更包括一周边区和一接合垫区。

本发明可以降低图像感测装置中的光学串扰，提高图像感测装置的性能。

以下以各实施例详细说明并伴随着附图说明的范例，做为本发明的参考依据。

附图说明

图1为本发明实施例的图像感测装置的制造方法的工艺流程图。

图第2至图13为依据图1的本发明实施例的图像感测装置的制造方法的不同工艺步骤的剖面图。

【主要附图标记说明】

11～方法；

13、15、17、19、21、23、25、27、29～方块；

30、270～图像感测装置；

32～装置基板；

34～前侧；

36～后侧；

38～起始厚度；

40、42～像素；

43、43A～光；

44、45、50、51、63、64、130、133、135、136、138、139、160、163、168、183、185、245、285、290～宽度；

46～离子注入工艺；

47、49～隔绝结构；

52～像素区；

54～周边区；

56～接合垫区；

59～切割道区；

60、61～元件；

65～内连线结构；

66～导线；

68～介层孔/接触孔；

70～阻障层；

75～承载基板；

80～薄化工艺；

85、105～厚度；

90、100、250、260～透明层；

95～底层抗反射层；

100A、100B、100C、100D、100E、100F～透明物；

107、107A、107B、107C～抗反射层；

110、140～光刻工艺；

115、120、125、126、145、150、153、156、145A、150A、153A、156A、255～开口；

175～透明材料；

275、280～光致抗蚀剂掩模；

190～不透明材料；