[发明专利]有机发光二极管显示器有效
| 申请号: | 200910167089.X | 申请日: | 2009-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN101661950A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
| 发明(设计)人: | 朴顺龙;丁喜星;郑又硕;田熙喆;郭鲁敏;金恩雅;李柱华;郑哲宇;金在湧 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;薛义丹 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示器,更具体地说,涉及一种具有改 善了的显示特性的有机发光二极管显示器。
背景技术
有机发光二极管显示器包括多个有机发光二极管,有机发光二极管具有 空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极。
当通过有机发射层内部的电子和空穴的复合产生的激子从激发态降至基 态时,利用产生的能量执行发光。有机发光二极管利用该现象形成图像。
因此,与液晶显示器不同,有机发光二极管显示器具有自发光特性,并 且有机发光二极管显示器不需要单独的光源,使得能够减小有机发光二极管 显示器的厚度和重量。
另外,有机发光二极管显示器具有高质量特性,例如,低功耗、高亮度 和高响应速度,使得有机发光二极管显示器作为用于便携式电子装置的下一 代显示装置而受到日益增长的关注。
在背景技术部分中公开的以上信息仅仅是为了增加对本发明的背景技术 的理解,因此,它可包括未形成在该国本领域普通技术人员已知现有技术的 信息。
发明内容
本发明的一方面是一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显 示器具有抑制外部光反射来提高可视性并且使从有机发射层发射到外部的光 的损失最小化的优点。
本发明的另一方面是一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管 显示器包括:有机发光二极管,所述有机发光二极管包括像素电极、形成在 像素电极上的有机发射层、形成在有机发射层上的共电极;双增亮膜,形成 在有机发光二极管的共电极上;第一相位延迟板,形成在双增亮膜上;角锥 棱镜膜,形成在第一相位延迟板上;第二相位延迟板,形成在角锥棱镜膜上; 偏振板,形成在第二相位延迟板上。
角锥棱镜膜可包括角锥棱镜层和覆盖层,在角锥棱镜层上形成有多个角 锥棱镜,覆盖层覆盖角锥棱镜层的形成有多个角锥棱镜的一个表面。
角锥棱镜层的角锥棱镜可被形成为朝第一相位延迟板突出。
角锥棱镜层的折射系数可比覆盖层的折射系数大。
覆盖层可具有粘性。
覆盖层可设置在角锥棱镜层和第一相位延迟板之间,以将角锥棱镜层粘 结到第一相位延迟板。
双增亮膜、第一相位延迟板、角锥棱镜膜、第二相位延迟板和偏振板中 的至少两个可一体地形成。
在有机发光二极管显示器中,偏振板和双增亮膜可具有相同的偏振轴。
第一相位延迟板和第二相位延迟板可具有相同的光轴,并且第一相位延 迟板和第二相位延迟板可以是1/4波长板。
第一相位延迟板和第二相位延迟板的光轴与偏振板和双增亮膜的偏振轴 之间的交叉角可以是45°。
有机发光二极管显示器抑制外部光反射,使其能够提高可视性,并使从 有机发射层发射到外部的光的损失最小化。
换言之,能够提高有机发光二极管显示器的显示特性。
另外,有机发光二极管显示器能够降低其功耗并延长寿命。本发明的另 一方面是一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:有 机发光二极管,所述有机发光二极管包括i)像素电极、ii)形成在像素电极上 的有机发射层和iii)形成在有机发射层上的共电极;双增亮膜,形成在有机发 光二极管的共电极上方;第一相位延迟板,形成在双增亮膜上;角锥棱镜膜, 形成在第一相位延迟板上;第二相位延迟板,形成在角锥棱镜膜上;偏振板, 形成在第二相位延迟板上,其中,i)双增亮膜、ii)第一相位延迟板、iii)第二相 位延迟板和iv)角锥棱镜膜中的至少一个被构造为减少入射到偏振板上的外 部光的反射和/或在通过偏振板输出从有机发射层发射的光之前减少发射的 光的损失。
在上面的显示器中,角锥棱镜膜包括角锥棱镜层和覆盖层,角锥棱镜层 上形成有多个角锥棱镜,覆盖层覆盖角锥棱镜层的其上形成有角锥棱镜的一 个表面。在上面的显示器中,角锥棱镜层的角锥棱镜朝第一相位延迟板突出。 上面的显示器还包括:第一基底;驱动电路,设置在第一基底和有机发光二 极管之间,其中,驱动电路被构造为驱动有机发光二极管;第二基底,形成 在偏振板上,并被构造为基于从偏振板透射的线性偏振光来显示图像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





