[发明专利]有机发光二极管显示器有效
| 申请号: | 200910167089.X | 申请日: | 2009-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN101661950A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
| 发明(设计)人: | 朴顺龙;丁喜星;郑又硕;田熙喆;郭鲁敏;金恩雅;李柱华;郑哲宇;金在湧 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;薛义丹 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:
有机发光二极管;
双增亮膜,使符合偏振轴的光通过,且反射不符合偏振轴的光;
第一相位延迟板;
角锥棱镜膜;
第二相位延迟板;
偏振板,
其中,角锥棱镜膜包括角锥棱镜层和覆盖层,在角锥棱镜层的一个表面上形成有多个角锥棱镜,覆盖层覆盖角锥棱镜层的形成有角锥棱镜的所述一个表面,
双增亮膜形成在有机发光二极管上,
第一相位延迟板形成在双增亮膜上,
角锥棱镜膜形成在第一相位延迟板上,
第二相位延迟板形成在角锥棱镜膜上,
偏振板形成在第二相位延迟板上,
偏振板和双增亮膜具有相同的偏振轴,
第一相位延迟板和第二相位延迟板具有相同的光轴并且是1/4波长板,
角锥棱镜层的角锥棱镜朝第一相位延迟板突出,
角锥棱镜层的折射系数比覆盖层的折射系数大。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,覆盖层具有粘性并且设置在角锥棱镜层和第一相位延迟板之间,以将角锥棱镜层粘结到第一相位延迟板。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,第一相位延迟板和第二相位延迟板的光轴与偏振板和双增亮膜的偏振轴之间的交叉角是45°。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器还包括:
第一基底;
驱动电路,设置在第一基底和有机发光二极管之间,其中,驱动电路被构造为驱动有机发光二极管;
第二基底,形成在偏振板上,并且被构造为基于从偏振板透射的线性偏振光来显示图像。
5.一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:
有机发光二极管,被构造为发射光;
双增亮膜,形成在有机发光二极管上方,其中,双增亮膜被构造为输入发射的光并输出第一线性偏振光,并且双增亮膜使符合偏振轴的光通过且反射不符合偏振轴的光;
第一相位延迟板,形成在双增亮膜上,其中,第一相位延迟板被构造为输入第一线性偏振光并输出圆偏振光;
角锥棱镜膜,形成在第一相位延迟板上,并被构造为透射圆偏振光;
第二相位延迟板,形成在角锥棱镜膜上,其中,第二相位延迟板被构造为输入第二圆偏振光并输出第二线性偏振光;
偏振板,形成在第二相位延迟板上,并被构造为透射第二线性偏振光。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,双增亮膜还被构造为将所述发射的光部分地朝向有机发光二极管反射。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,角锥棱镜膜包括角锥棱镜层和覆盖层,角锥棱镜层与第二相位延迟板面对,覆盖层与角锥棱镜层接触并与第一相位延迟板面对,其中,角锥棱镜层的折射系数比覆盖层的折射系数大。
8.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,偏振板和双增亮膜具有相同的偏振轴。
9.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,第一相位延迟板和第二相位延迟板具有相同的光轴,并且第一相位延迟板和第二相位延迟板是1/4波长板。
10.一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:
偏振板,构造为输入外部光并输出第一线性偏振光;
第一相位延迟板,形成在偏振板上,并被构造为输入第一线性偏振光并输出第一圆偏振光;
角锥棱镜膜,形成在第一相位延迟板上,并被构造为部分地反射并部分地透射第一圆偏振光,以输出第二圆偏振光;
第二相位延迟板,形成在角锥棱镜膜上,并被构造为输入第二圆偏振光 并输出第二线性偏振光;
双增亮膜,形成在第二相位延迟板上,并被构造为透射第二线性偏振光,并且双增亮膜使符合偏振轴的光通过,且反射不符合偏振轴的光;
有机发光二极管,包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机发射层,其中,第二电极与双增亮膜面对,第二电极被构造为朝向双增亮膜反射第二线性偏振光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





