[发明专利]导光型发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，特别是涉及一种导光型发光二极管；本发明还涉及所述导光型发光二极管的制造方法。

背景技术

发光二极管(LED Light Emitting Diode)是由半导体材料所制成的发光组件。该组件具有两个电极端子，在两个电极端子间施加电压，通入极小的电流，经由电子电洞的结合可将剩余能量以光的形式激发释出，此即发光二极管的基本发光原理。发光二极管不同于一般的白炽灯泡，发光二极管系属发光，具有耗电量低、组件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用上的需求制成极小或阵列式的组件。目前发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示器与显示装置上，成为日常生活中不可或缺的重要组件。

发光二极管依发光波长分为可見光发光二极管(波长450～680nm)与不可見光发光二极管(波长850～1550nm)两大类。若以其使用的磊晶层材料可进一步分为二元化合物(如GaAs、GaSb、GaN等)、三元化合物(如AlxGal-xAs、AlxGal-xP、Inl-xGaxAs等)、四元化合物(如AlInGaP、InAlGaAs、AlxGal-xAsyPl-y等)及GaN系化合物四大类。以亮度区分，发光二极管可分为高亮度发光二极管及一般亮度发光二极管两大类。不过由于发光二极管具有指向性，各厂商衡量标准也不一致，直接衡量发光二极管光度并无法正确区分出高亮度发光二极管及一般亮度发光二极管。再加上发光二极管发光亮度、发光效率与磊晶层材料直接相关，因此以使用磊晶层材料种类作为区分高亮度发光二极管的标准，所述高亮度发光二极管是指以四元化合物及GaN系化合物所制成的发光二极管，一般亮度发光二极管是指以GaN系以外二元化合物及三元化合物所制成的发光二极管。

参见图1所示，现有的发光二极管1’包含一基板10’、一N型半导体层11’、一发光层12’、一P型半导体层14’、一透明导电层15’、一N型电极16’及一P型电极17’。所述N型半导体层11’设置于所述基板10’，所述发光层12’设置于所述N型半导体层11’，所述P型半导体层14’设置于部分的发光层12’，所述透明导电层15’设置于所述P型半导体层14’，所述N型电极16’设置于所述发光层12’，所述P型电极17’设置于所述透明导电层15’。从图1可知，所述P型半导体层17’未完全覆盖所述发光层，因此发光二极管1’的发光区域只限于被P型半导体层17’覆盖的区域，所以发光二极管1’的发光面积小，其操作时的电压偏高。

为了解决上述问题，本发明提供一种增加发光面积的发光二极管，有效提升所述发光二极管的发光效率，以符合未来市场需求。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种导光型发光二极管，能够有效增加发光面积，提升发光效率，降低操作时的电压；为此，本发明还要提供一种所述导光型发光二极管的制造方法。

为解决上述技术问题，本发明的导光型发光二极管采用的技术方案之一为，所述导光型发光二极管包括：

一基板；

一第一半导体层，设置于所述基板上；

一外延出光层，设置于所述第一半导体层上，并包含一孔洞，所述孔洞的侧壁的截面为一斜面；

一透明导电层，设置于所述外延出光层上；

一第一电极，设置于所述第一半导体层上，且位于所述孔洞中；以及

一第二电极，设置于所述透明导电层上。

本发明的导光型发光二极管采用的技术方案之二为，所述导光型发光二极管包括：

一基板；

一第一光子晶体结构，设置于所述基板上；

一第一半导体层，设置于所述光子晶体结构之上；

一外延出光层，设置于所述第一半导体层上并包含一孔洞；以及一透明导电层，设置于所述外延出光层上；

一第一电极，设置于所述第一半导体层且位于所述孔洞中；以及

一第二电极，设置于所述透明导电层上。

本发明的导光型发光二极管制造方法采用的技术方案之一为，

取一基板；

形成一第一半导体层于所述基板上；

形成一外延出光层于所述第一半导体层上，并蚀刻所述外延出光层形成一孔洞，所述孔洞的侧壁的截面为一斜面；

形成一透明导电层于所述外延出光层上；

形成一第一电极于所述孔洞内，并位于所述第一半导体层上；以及

形成一第二电极，设置于所述透明导电层上。

本发明的导光型发光二极管制造方法采用的技术方案之二为，

取一基板；