[发明专利]导光型发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种导光型发光二极管，其特征在于，包括：

一基板；

一第一半导体层，设置于所述基板上；

一外延出光层，设置于所述第一半导体层上，并包含一孔洞，所述孔洞的侧壁的截面为一斜面；

一透明导电层，设置于所述外延出光层上；

一第一电极，设置于所述第一半导体层上，且位于所述孔洞中；以及

一第二电极，设置于所述透明导电层上。

2.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：还包括，

一发光层，设置于所述第一半导体层；以及

一第二半导体层，设置于所述发光层。

3.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：还包括，

一第一电流阻断层，设置于所述第一半导体层及所述外延出光层的周围，并位于所述基板上。

4.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：所述斜面与一水平面的夹角介于35度至160度之间。

5.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：所述孔洞的直径大于所述第一电极的直径。

6.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：所述孔洞的侧壁还设置有一保护层。

7.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：所述外延出光层还包括一凹槽，所述凹槽内设置一第二电流阻断层。

8.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：还包括，一第一织状结构，设置于所述第一半导体层的周围。

9.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：还包括，一第一织状结构，设置于所述外延出光层的周围。

10.如权利要求1、8或9所述的导光型发光二极管，其特征在于：还包括，一第二织状结构，设置于所述透明导电层及所述外延出光层之间。

11.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：还包括：一光子晶体结构，设置于所述第一半导体层及所述外延出光层的周围，并位于所述基板上。

12.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：还包括，一光子晶体结构，设置于所述第一半导体层的周围，并位于所述基板上。

13.如权利要求1所述的导光型发光二极管，其特征在于：还包括，一光子晶体结构，设置于所述外延出光层的周围，并位于所述第一半导体层上。

14.如权利要求11、12或13所述的导光型发光二极管，其特征在于：所述光子晶体结构包含复数柱状结构。

15.如权利要求11、12或13所述的导光型发光二极管，其特征在于：所述光子晶体结构上还包括复数微结构，每一微结构的截面包含一第一水平线及一第二水平线，所述第一水平线的一端与对应的所述第二水平线的一端以一直线相连，所述直线与所述第二水平线的夹角介于35度至160度之间。

16.如权利要求11、12或13所述的导光型发光二极管，其特征在于：所述第二光子晶体结构上还包括复数微结构，每一微结构的截面包含一第一水平线及一第二水平线，所述第一水平线的一端与对应的所述第二水平线的一端以一弧线相连，所述弧线与所述水平线的夹角介于35度至160度之间。

17.一种导光型发光二极管，其特征在于：包括，

一基板；

一第一光子晶体结构，设置于所述基板上；

一第一半导体层，设置于所述光子晶体结构之上；

一外延出光层，设置于所述第一半导体层上并包含一孔洞；以及一透明导电层，设置于所述外延出光层上；

一第一电极，设置于所述第一半导体层且位于所述孔洞中；以及

一第二电极，设置于所述透明导电层上。

18.如权利要求17所述的导光型发光二极管，其特征在于：所述外延出光层还包括：

一发光层，设置于所述第一半导体层；及

一第二半导体层，设置于所述发光层。

19.如权利要求17所述的导光型发光二极管，其特征在于：还包括，一第一电流阻断层，设置于所述第一半导体层与所述外延出光层的周围，并位于所述第一光子晶体结构之上。