[发明专利]多层陶瓷衬底、电子部件以及多层陶瓷衬底的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910129921.7 申请日: 2009-04-01
公开(公告)号: CN101692442A 公开(公告)日: 2010-04-07
发明(设计)人: 池田初男;市川耕司 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: H01L23/15 分类号: H01L23/15;H01L23/498;H01L23/48;H01L21/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈萍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 多层 陶瓷 衬底 电子 部件 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种多层陶瓷衬底,层叠了多个陶瓷衬底层,其特征在于,

包括:

表层端子电极,设置在表面或背面至少一侧的最表面的陶瓷衬底层中 的导通孔中,由表层导通电极和覆盖其端面的金属镀层构成;和

导通布线,连接上述表层端子电极和内部的陶瓷衬底层上的布线,

上述表层导通电极为,其端面处于设置在上述最表面的陶瓷衬底层上 的导通孔内部、比最表面的陶瓷衬底层表面凹陷的位置,覆盖该表层导通 电极的端面的上述金属镀层的表面,处于比上述最表面的陶瓷衬底层表面 高出3μm到相同平面之间的位置、或者比上述最表面的陶瓷衬底层表面凹 陷的位置,

上述金属镀层与上述导通孔的内壁接触的边界面无间隙地一致,

在通过深度方向的截面来观察该边界面时,上述边界面的紧密固定长 度(L)为2μm以上,且上述边界面的凹凸的最大与最小的凹凸宽度(w)为 0.6μm以上。

2.如权利要求1所述的多层陶瓷衬底,其特征在于,

在将上述最表面的陶瓷衬底层表面作为±0基准时,上述表层导通电极 的端面的深度(d)、与导通孔的直径(φ)的比(d/φ)为从0至-0.12之间的负值, 其中上述深度(d)以基板内侧为负。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷衬底,其特征在于,

上述金属镀层由Ni底层和Au覆盖层构成,覆盖上述表层导通电极的 端面的Ni底层的厚度为3μm以上。

4.如权利要求1所述的多层陶瓷衬底,其特征在于,

上述导通孔,形成为朝向最表面扩大的锥孔状。

5.如权利要求1所述的多层陶瓷衬底,其特征在于,

在上述多层陶瓷衬底上,表面安装有源元件和无源元件,并且连接上 述有源元件的表层端子电极的导通孔径比连接上述无源元件的表层端子电 极的导通孔径小。

6.如权利要求5所述的多层陶瓷衬底,其特征在于,

上述一侧的最表面的陶瓷衬底层的有源元件和无源元件用的导通孔 为,填充烧结时的体积收缩率比较大的导体膏而形成表层导通电极,并且 至少对于上述无源元件用的导通孔,使用烧结时的体积收缩率比较小的导 体膏来进行第二次导体印制,而形成具有2重导体的表层焊点电极。

7.一种电子部件,其特征在于,

使用权利要求1所述的多层陶瓷衬底,使用焊球对上述金属镀层搭载 表面安装部件。

8.如权利要求7所述的电子部件,其特征在于,

多层陶瓷衬底的连接上述有源元件的表层端子电极,使用焊球连接于 导通孔内部的金属镀层,对于连接上述无源元件的表层端子电极,在导通 孔外部的上述金属镀层表面上使用焊膏进行连接。

9.如权利要求8所述的电子部件,其特征在于,

用于连接上述无源元件的上述金属镀层的表面的高度,比用于连接上 述有源元件的金属镀层的表面的高度高。

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