[发明专利]喷淋头和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于基板的等离子体处理等的喷淋头和基板处理装 置。

背景技术

以往，在例如半导体装置的制造工序中，作为处理半导体晶片和 液晶显示装置用的玻璃基板等的基板的处理装置，使用从与基板相对 设置的喷淋头以喷淋状供给气体并同时进行基板的处理的基板处理装 置。

例如已知下述这样的等离子体处理装置，在处理腔室内产生处理 气体的等离子体，通过该等离子体进行配置在处理腔室内的基板的等 离子体处理、例如蚀刻处理或成膜处理，在这样的等离子体处理装置 中，其结构为，上述喷淋头构成与载置基板的载置台相对的相对电极， 从喷淋头以喷淋状供给规定的处理气体，并且从载置台(基板)的周 围向处理腔室的下方排气，与此同时，在喷淋头和载置台之间施加高 频电力，产生处理气体的等离子体。

另外，也已知构成为从喷淋头的周围向处理腔室的上方进行排气 的等离子体处理装置(例如参照专利文献1)。另外，也已知构成为从 喷淋头的中央部排气的CVD装置(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特许第2662365号公报

专利文献2：日本特开2004-339566号公报

在上述的以往的技术中，构成从载置台(基板)的周围向处理腔 室的下方排气，或者从喷淋头的周围向处理腔室的上方排气的结构。 因此，从喷淋头供给的气体形成从基板的中央部向周边部流动的流动， 在基板的中央部和周边部，处理状态容易出现差异，存在处理的面内 均匀性降低的问题。另外，在从喷淋头的中央部排气的技术中，从喷 淋头供给的气体形成从基板的周边部向中央部流的流动，与上述情况 相同，在基板的中央部和周边部，处理状态容易出现差异，存在处理 的面内均匀性降低的问题。另外，上述那样的处理的面内均匀性的降 低随着被处理基板例如半导体晶片等的大型化而存在愈加显著的趋 势。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够实现 处理的均匀性高于以往技术的喷淋头和基板处理装置。

本发明第一方面涉及一种喷淋头，其形成与载置台相对的相对面， 从该相对面向基板以喷淋状供给气体，该载置台设置于在内部处理所 述基板的处理腔室并用于载置所述基板，该喷淋头包括：从所述相对 面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给部；从所述相对面 的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给部；以及排气部，其 具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体供给部之间的多 个排气孔，从所述相对面进行排气。

本发明第二方面的喷淋头为，在第一方面的喷淋头中，形成与所 述载置台相对的相对电极。

本发明第三方面涉及一种基板处理装置，其具有：在内部处理基 板的处理腔室；设置于所述处理腔室内，用于载置所述基板的载置台； 形成与所述载置台相对的相对面，从该相对面向所述基板以喷淋状供 给气体的喷淋头，在该基板处理装置中，所述喷淋头具备：从所述相 对面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给部；从所述相对 面的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给部；以及排气部， 其具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体供给部之间的 多个排气孔，从所述相对面进行排气。

本发明第四方面的基板处理装置为，在第三方面的基板处理装置 中，所述喷淋头形成与所述载置台相对的相对电极。

本发明第五方面的基板处理装置为，在第四方面的基板处理装置 中，对所述喷淋头和所述载置台之间施加高频电力而产生等离子体， 通过该等离子体进行所述基板的处理。

本发明第六方面的基板处理装置为，在第五方面的基板处理装置 中，所述基板的处理为蚀刻处理。

根据本发明能够提供一种能够实现处理的均匀性高于以往技术的 喷淋头和基板处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式的喷淋头的结构图。

图2是图1的喷淋头的下表面的图。

图3是表示本发明的一实施方式的等离子体蚀刻装置的结构图。

图4是表示实施方式的等离子体蚀刻装置的气体流动的模拟结果 的模拟图像照片。

图5是表示以往的等离子体蚀刻装置的气体流动的模拟结果的模 拟图像照片。

附图标记说明

10：中央侧气体喷出孔；

11：周边侧气体喷出孔；