[发明专利]反应腔室及化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体加工设备，尤其涉及一种反应腔室及化学气相沉积设备。

背景技术

在微电子基片或太阳能电池基片加工过程中，广泛用到化学气相沉积设备。

如图1所示，现有技术中的化学气相沉积设备包括进气管路1、反应腔室2、待处理基片3、基片载板4、滤网5、抽气管路6等。抽气管路6安装在反应腔室2的下方，滤网5安装在抽气管路6内靠近反应腔室2的位置，用于过滤残气中的粉尘。

在化学气相沉积工艺过程中，由抽气管路6为反应腔室2提供真空环境，反应腔室2通过加热、射频、微波等方式注入能量，由进气管路1导入反应气体，反应气体在反应腔室2中进行化学反应，生成物沉积在基片3上，残气经过滤网5过滤，由抽气管路6经真空泵排出。

上述现有技术至少存在以下缺点：

对于化学气相沉积设备，理想的情况是反应生成物仅在待处理的基片3表面发生化学反应并沉积生成物，而在其他位置(如反应腔室侧壁、基片载板、抽气管路等)不发生化学反应和沉积作用。但这在实际中是不可避免的，化学反应不可避免的在反应腔室的其他位置发生，产生的固态反应产物会不断堆积在滤网上方，造成整个设备的抽气能力逐渐下降，并影响工艺结果。为了保障设备的性能，就需要定期对抽气管路(包括滤网)进行维护，且抽气管路维护较为繁琐，减低了设备的运行效率，加大了设备的运行成本。

发明内容

本发明的目的是提供一种能缓解抽气管路粉尘阻塞、降低备抽气管路的维护频率的反应腔室及化学气相沉积设备。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的化学气相沉积设备，包括反应腔室，所述反应腔室的下方设有抽气管路，所述抽气管路靠近反应腔室的一段为向下的折弯型，所述抽气管路的折弯型部位背离所述反应腔室排气口的一侧安装有滤网。

本发明的化学气相沉积设备，该化学气相沉积设备包括上述的反应腔室。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的反应腔室及化学气相沉积设备，由于抽气管路靠近反应腔室的一段为向下的折弯型，抽气管路的折弯型部位背离所述反应腔室排气口的一侧安装有滤网。工艺过程中，粉尘能够沉积在抽气管路的折弯型部位的下部，并减少对滤网的堵塞，进而缓解化学气相沉积设备的抽气管路中的粉尘阻塞、降低抽气管路的维护频率。

附图说明

图1为现有技术中的化学气相沉积设备的反应腔室的结构示意图；

图2为本发明的反应腔室的具体实施例一的结构示意图；

图3为本发明的反应腔室及的具体实施例二的结构示意图。

具体实施方式

本发明的反应腔室，其较佳的具体实施方式是，反应腔室的下方设有抽气管路，抽气管路靠近反应腔室的一段为向下的折弯型，抽气管路的折弯型部位背离反应腔室排气口的一侧安装有滤网，折弯型可以为U型或V型或其它的折弯型。

抽气管路的折弯型部位的底部可以设有储尘槽，除尘槽的底部可以设有除尘法兰。

具体实施例中，抽气管路6的内径可以为10mm～1000mm范围，优选40mm～200mm范围；储尘槽的内径可以为10mm～1000mm范围，优选40mm～200mm范围；储尘槽的高度可以为0～1000mm范围，优选10mm～200mm范围。

本发明的化学气相沉积设备，其较佳的具体实施方式是，该化学气相沉积设备包括上述的反应腔室。

本发明的工作原理是：

化学气相沉积技术使用的工艺气压多在几百帕量级，在这一压力范围附近，气流很难推动颗粒物质移动，因此在一般情况下，反应生成的固体物质受到重力作用多数沉积在设备的下方。利用这一原理，将抽气管路靠近反应腔室一端设计成‘U’型或‘V’型等折弯型，在抽气管路的折弯型部位的背离反应腔室排气口一侧安装滤网，使得绝大多数的固体生成物沉积在折弯型管的底部。少量附着在滤网上的沉积物由于结构松散，结合力较弱，很难大量在滤网上堆积，因此能够大大降低粉尘对滤网透气性的影响，从而延长滤网的维护周期。在折弯型抽气管路的下方设计一个储尘槽，并在储尘槽的下方安装除尘法兰，使得绝大部分的粉尘可以沉积在储尘槽内，并通过打开除尘法兰进行清除，大大降低了抽气管路的维护难度。

实施例一：

如图2所示，化学气相沉积设备的反应腔室的抽气管路6靠近反应腔室2一端为U型，抽气管路6内径为100mm；在抽气管路6的U型部位的下部设计有储尘槽7，其内径为100mm，高度为50mm；储尘槽7下部安装有除尘法兰8；在抽气管路的U型部位的背离反应腔室2的一侧安装有滤网5。