[发明专利]采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层有序生长的方法

权利要求书

1.一种采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层有序生长的方法， 其特征在于，诱导线条的材料和器件的有源层材料是同一种材料，该方法 包括：

步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；

步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到平行排列的线 条图形；

步骤3、真空蒸镀一层有机半导体薄膜；

步骤4、用丙酮剥离掉光刻胶形成平行排列的有机诱导线条；

步骤5、沉积生长有机半导体薄膜；

步骤6、通过镂空的掩模版沉积源漏电极，完成有源层有机半导体材 料有序取向的有机场效应晶体管的制备。

2.根据权利要求1所述的采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层 有序生长的方法，其特征在于，步骤1中所述导电硅基底是电阻率低的导 电材料，用于作为有机场效应管的栅极。

3.根据权利要求1所述的采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层 有序生长的方法，其特征在于，步骤1中所述在导电硅基底上热氧化生长 绝缘介质薄膜是采用热氧化生长的方法或化学气相沉积的方法获得的。

4.根据权利要求1所述的采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层 有序生长的方法，其特征在于，步骤2中所述在绝缘介质薄膜表面上平行 排列的线条图形是通过光刻工艺获得的。

5.根据权利要求1所述的采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层 有序生长的方法，其特征在于，步骤3中所述有机半导体薄膜和步骤4中 所述有机诱导线条是采用真空热蒸镀的方法实现的。

6.根据权利要求1所述的采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层 有序生长的方法，其特征在于，步骤4中所述有机诱导线条的厚度为20nm。

7.根据权利要求1所述的采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层 有序生长的方法，其特征在于，步骤6中所述源漏金属电极是采用电子束 蒸发技术或磁控溅射的方法沉积的。