[发明专利]控制SiC基体刻蚀的台阶形貌的方法有效
| 申请号： | 200910074413.3 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101556919A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 潘宏菽;霍玉柱 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 sic 基体 刻蚀 台阶 形貌 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种控制SiC基体刻蚀的台阶形貌的方法，包括清洗SiC基体、淀积掩蔽 层、在所述掩蔽层上涂光刻胶并进行光刻，刻蚀掩蔽层和干法刻蚀SiC基体；其 特征在于在刻蚀掩蔽层时，当需要坡度平缓的台阶形貌时，采用湿法腐蚀所述 掩蔽层；在所述湿法腐蚀过程中，采用等离子体轰击残留的光刻胶，同时通过 控制掩蔽层和光刻胶界面间的钻蚀程度得到坡度平缓的台阶形貌。
2.根据权利要求1所述的一种控制SiC基体刻蚀的台阶形貌的方法，其特征 在于还同时控制需刻蚀的SiC基体与掩蔽层的刻蚀比。
3.根据权利要求2所述的一种控制SiC基体刻蚀的台阶形貌的方法，其特征 在于控制需刻蚀的SiC基体与掩蔽层的刻蚀比为：
台阶形貌的坡度平缓∶刻蚀比小于3，大于0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
