[发明专利]光罩的制作方法无效
| 申请号： | 200910055364.9 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101963752A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 柳锋;朱振华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作方法 | ||
1.一种光罩的制作过程，包括如下步骤：
提供透明基板，在基板上形成相位偏移层，在相位偏移层上形成光阻层；
在光阻层上形成图案化的光刻胶层；
以图案化的光刻胶层为掩膜，蚀刻光阻层，形成图案化的光阻层；
以图案化的光阻层为掩膜，干法蚀刻相位偏移层；
得到相位偏移层的特征尺寸，比较相位偏移层的特征尺寸值相比预定值的偏小量，采用湿法蚀刻法对相位偏移层进行再蚀刻；
去除光阻层，加上透明的保护膜。
2.根据权利要求1所述的光罩的制作过程，其特征在于：所述的相位偏移层的材料为MoSi，所述的湿法蚀刻法采用NH4OH溶液与H2O2溶液的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的光罩的制作过程，其特征在于：所述的NH4OH溶液与H2O2溶液的质量浓度分别为25～35％；NH4OH溶液与H2O2溶液与水的体积比可以是1∶(1～3)∶(80～130)范围，反应温度可以是25摄氏度到50摄氏度范围。
4.根据权利要求3所述的光罩的制作过程，其特征在于：所述的NH4OH溶液的质量浓度为29％，H2O2溶液的质量浓度为30％，NH4OH溶液与H2O2溶液与水的体积比为1∶2∶127，反应温度40摄氏度。
5.根据权利要求1所述的光罩的制作过程，其特征在于：所述的得到相位偏移层的特征尺寸的方法为通过对光阻层关键尺寸的测量间接反应相位偏移层的关键尺寸。
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