[发明专利]集成电路装置与电容器对有效
申请号: | 200910001320.8 | 申请日: | 2007-09-19 |
公开(公告)号: | CN101488498A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 陈家逸;张家龙;赵治平 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/522;H01L23/528;H01G4/38 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨;张浴月 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 装置 电容器 | ||
本申请是申请日为2007年9月19日、申请号为200710153396.3(优先权号为:US11/591,643)、发明名称为“集成电路装置与电容器对”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种集成电路装置,特别涉及一种具有特定电容比例的电容器对的布局。
背景技术
在现今集成电路,例如混合模式(mixed-mode)与射频(radio frequency)电路的应用,通常需要一组具有特定电容比例(通常指的是1∶N的电容器,其中N为大于零的整数)的电容器。电容的比例通常需要具有高准确性以确保集成电路能准确地运作。例如,在模拟/数字(A/D)转换器,电容器对的准确性决定产生的数字信号的准确性,因此需要非常高准确度的电容器比例。
图1为显示一传统提供1∶N电容比例的电容器对电路。此电路包含设计成具有完全相同电容的单位电容器10阵列。X-译码器与Y-译码器耦接到电容器阵列且被用于自电容器阵列中选择一些单元电容。并联所选择的单位电容器10,可形成具有更高电容的电容器。图1中所显示的阵列具有九个单位电容,因此可以被用于达到任何介于1∶1至1∶9的电容比例,其中数字1代表一单位电容器,数字9代表代表通过并联所有9个单位电容器10的电容器。
图1中所显示的电路具有可动态提供电容器对的优点特征。然而一些缺点局限了其使用。例如,电容器阵列的结构易受工艺影响。虽然所有单位电容被设计成完全相同,实际上,一些单位电容器可能靠近图案稀少的区域,一些单位电容器可能靠近图案稠密的区域。因此,单位电容器的电容具有变动性,此变动性会影响电容器对的准确性。通常具有较高数量单位电容器的电容器阵列会具有更多的电容变动。
另一个缺点为X-译码器与Y-译码器会占用芯片面积。特别是对于1∶N电容器,其中当N为小数目时,译码器所占用的芯片面积相比较于单位电容器所占用的小面积为更显著的消耗。因此,需要一种改进准确性以及减少芯片面积消耗的电容器对。
发明内容
根据本发明的一实施例,一种集成电路装置包括,一电容器阵列,具有排列成行与列的单位电容器,其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成,一至少一第一单位电容器,位于电容器阵列的每一列与每一行中并且彼此互相电性连接,其中电容器阵列的每一行如同其它行与列,具有相同数量的至少一第一单位电容器,并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行,具有相同数量的至少一第一单位电容器,以及一至少一第二单位电容器,位于电容器阵列的每一列与每一行中并且彼此互相电性连接,其中电容器阵列的每一行如同其它行与列,具有相同数量的至少一第二单位电容器,并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行,具有相同数量的至少一第二单位电容器。
根据本发明的另一实施例,一种集成电路装置包括一共同节点,具有一第一传导总线与多个第一指状结构,第一指状结构耦接至第一传导总线,多个第二指状结构,每个第二指状结构介于两个平行且相邻的第一指状结构之间,并与两个第一指状结构电性绝缘,一第二传导总线,与第二指状结构互相电性连接,多个第三指状结构,每个第三指状结构介于平行且相邻的两个第一指状结构之间,并与两个第一指状结构电性绝缘,一第三传导总线,与第三指状结构互相电性连接,其中第一指状结构、第二指状结构与第三指状结构为位于一金属层中的金属线,并且上述第二传导总线与上述第三传导总线电性绝缘,并且其中第二指状结构与第三指状结构形成具有多列与多行的一阵列,其中在每一列与每一行中,第二指状结构的数量等于在其它列与其它行中的第二指状结构的数量,并且其中在每一列与每一行中,第三指状结构的数量等于在其它列与其它行中的第三指状结构的数量,其中上述两个平行且相邻的上述第一指状结构之间仅有一个第二指状结构或第三指状结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的