[发明专利]集成电路装置与电容器对有效
申请号: | 200910001320.8 | 申请日: | 2007-09-19 |
公开(公告)号: | CN101488498A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 陈家逸;张家龙;赵治平 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/522;H01L23/528;H01G4/38 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨;张浴月 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 装置 电容器 | ||
1.一种集成电路装置,包括:
一共同节点,具有一第一传导总线与多个第一指状结构,上述第一指状结构耦接至上述第一传导总线;
多个第二指状结构,每个上述第二指状结构介于两个平行且相邻的上述第一指状结构之间,并与上述两个第一指状结构电性绝缘;
一第二传导总线,与上述第二指状结构互相电性连接;
多个第三指状结构,每个上述第三指状结构介于两个平行且相邻的上述第一指状结构之间,并与上述两个第一指状结构电性绝缘;
一第三传导总线,与上述第三指状结构互相电性连接,其中上述第一指状结构、上述第二指状结构与上述第三指状结构为位于一金属层中的金属线,并且上述第二传导总线与上述第三传导总线电性绝缘;并且
其中上述第二指状结构与上述第三指状结构形成具有多列与多行的一阵列,其中在每一列与每一行中,上述第二指状结构的数量等于在其它列与其它行中的上述第二指状结构的数量,并且其中在每一列与每一行中,上述第三指状结构的数量等于在其它列与其它行中的上述第三指状结构的数量,
其中上述两个平行且相邻的上述第一指状结构之间仅有一个第二指状结构或第三指状结构。
2.如权利要求1所述的集成电路装置,其特征是至少一部分的上述第二传导总线与至少一部分的上述第三传导总线形成于与上述第一指状结构以及上述第二指状结构不同的金属层中。
3.如权利要求1所述的集成电路装置,其特征是在每一列与每一行中只有一个上述第二指状结构,并且在每一列与每一行中具有多个上述第三指状结构。
4.如权利要求1所述的集成电路装置,还包括多个第四指状结构,其中每个上述第四指状结构介于两个平行且相邻的上述第一指状结构之间,并与上述两个第一指状结构电性绝缘,并且其中在每一列与每一行中,上述第四指状结构的数量等于在其它列与其它行的上述第四指状结构的数量。
5.一种电容器对,包括:
一共同节点,具有一第一传导总线与多个第一指状结构,上述第一指状结构耦接至上述第一传导总线;
多个第二指状结构,数量为M*(M+N),每个上述第二指状结构介于两个平行且相邻的上述第一指状结构之间,并与上述两个第一指状结构电性绝缘,其中M与N为非零的整数;
一第二传导总线,与上述第二指状结构互相电性连接;
多个第三指状结构,数量为N*(M+N),每个上述第三指状结构介于两个平行且相邻的上述第一指状结构之间,并与上述两个第一指状结构电性绝缘;
一第三传导总线,与上述第三指状结构互相电性连接,其中上述第一指状结构,上述第二指状结构以及上述第三指状结构为位于一金属层中的金属线,并且上述第二传导总线与上述第三传导总线电性绝缘;以及
其中上述第二指状结构与上述第三指状结构形成具有M+N列与M+N行的一阵列,其中在每一列与每一行中,有M个上述第二指状结构与N个上述第三指状结构,
其中上述两个平行且相邻的上述第一指状结构之间仅有一个第二指状结构或第三指状结构。
6.如权利要求5所述的电容器对,其特征是上述第一指状结构与上述第二指状结构的侧壁之间所形成的第一单位电容器的质量中心与上述第一指状结构与上述第三指状结构的侧壁之间所形成的第二单位电容器的质量中心大体重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的