[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

半导体衬底，其具有第一导电型的第一区域；

栅极绝缘膜，其形成在上述第一区域上；

栅电极，其形成在上述栅极绝缘膜上；

源极区域，其在上述第一区域内，形成在上述栅电极的一侧，该源极区域为与上述第一导电型相反的第二导电型；

第一低浓度漏极区域，其在上述第一区域内，形成在上述栅电极的另一侧，而且上述源极区域侧的一端进入该栅电极的下方，该第一低浓度漏极区域为上述第二导电型；

高浓度漏极区域，其形成在上述第一低浓度漏极区域内，而且与上述栅电极相分离，该高浓度漏极区域为上述第二导电型，且杂质浓度比该第一低浓度漏极区域的杂质浓度高；

逆导电型区域，其在上述第一低浓度漏极区域内，形成在上述高浓度漏极区域和上述栅电极之间的表面区域，该逆导电型区域为上述第一导电型，且与该第一低浓度漏极区域内的上述第二导电型的区域形成pn结。

2.根据权利要求1记载的半导体器件，其特征在于，

与上述第一低浓度漏极区域的上述源极侧的一端相比，上述逆导电型区域的上述源极侧的一端配置在更靠近上述高浓度漏极侧的位置。

3.根据权利要求1记载的半导体器件，其特征在于，

上述逆导电型区域的上述源极侧的一端进入上述栅电极的下方。

4.根据权利要求1记载的半导体器件，其特征在于，

上述逆导电型区域的上述源极侧的一端，与上述栅电极的该第一低浓度漏极区域侧的一端相分离而形成在上述高浓度漏极区域一侧。

5.根据权利要求1记载的半导体器件，其特征在于，

还具有第二低浓度漏极区域，其形成在上述第一低浓度漏极区域内，为上述第二导电型，该第二低浓度漏极区域的杂质浓度比该第一低浓度漏极区域的杂质浓度高，并且比上述高浓度漏极区域的杂质浓度低，上述逆导电型区域与该第二低浓度漏极区域形成pn结。

6.根据权利要求5记载的半导体器件，其特征在于，

上述逆导电型区域的杂质浓度比上述第一低浓度漏极区域的杂质浓度高，且上述第二低浓度漏极区域的杂质浓度比上述逆导电型区域的杂质浓度高，且上述高浓度漏极区域的杂质浓度比上述第二低浓度漏极区域的杂质浓度高。

7.根据权利要求1记载的半导体器件，其特征在于，

该半导体器件是便携电子设备，对上述栅电极施加高频的输入功率，上述漏极区域输出对施加给该栅电极的该输入功率进行放大而得的高频的输出功率。

8.根据权利要求1记载的半导体器件，其特征在于，

对应于上述栅极绝缘膜的材料及厚度，假定在上述栅电极和上述漏极区域之间施加直流电压时的耐压，

对上述栅电极施加高频的输入功率，上述漏极区域输出对施加给该栅电极的该输入功率进行放大而得的高频的输出功率，且在输出该输出功率时该漏极区域的漏极电压的最大值为上述耐压的2倍以上。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)工序，准备第一导电型的第一区域的半导体衬底；

(b)工序，在上述第一区域内，形成与上述第一导电型相反的第二导电型的第一低浓度漏极区域；

(c)工序，在上述第一区域及上述第一低浓度漏极区域上，形成栅极绝缘膜；

(d)工序，在上述栅极绝缘膜上形成栅电极，该栅电极具有与上述第一区域及上述第一低浓度漏极区域这两者都重叠的部分；

(e)工序，在上述第一低浓度漏极区域的表层，注入用于决定上述第一导电型的杂质，从而形成该第一导电型的逆导电型区域；

(f)工序，在上述第一低浓度漏极区域的上方形成绝缘膜，该绝缘膜覆盖上述栅电极的该第一低浓度漏极区域侧的侧壁，并延伸到上述逆导电型区域的一部分上方；

(g)工序，将上述绝缘膜作为掩模，在上述逆导电型区域及其下方的上述第一低浓度漏极区域，注入用于决定上述第二导电型的杂质，从而形成杂质浓度比该第一低浓度漏极区域的杂质浓度高的该第二导电型的高浓度漏极区域；

(h)工序，在相对于上述栅电极而位于与上述第一低浓度漏极区域相反侧的上述第一区域内，形成上述第二导电型的源极区域。

10.根据权利要求9记载的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在上述(e)工序和上述(f)工序之间还包括(i)工序，在该(i)工序中，在该逆导电型区域的下方的上述第一低浓度漏极区域内，注入用于决定上述第二导电型的杂质，从而形成杂质浓度比该第一低浓度漏极区域的杂质浓度高的第二低浓度漏极区域，

在上述(g)工序中，在上述逆导电型区域及其下方的上述第二低浓度漏极区域，注入用于决定上述第二导电型的杂质，从而形成杂质浓度比该第二低浓度漏极区域的杂质浓度高的高浓度漏极区域。