[发明专利]确定位置和偏移的装置和方法有效
| 申请号: | 200880124049.0 | 申请日: | 2008-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN101911277A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
| 发明(设计)人: | 克里斯蒂娜·艾伦布兰切特;马特·罗德尼克 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/68;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人: | 樊英如 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 确定 位置 偏移 装置 方法 | ||
1.一种确定等离子处理系统中位置和偏移的方法,所述等离子处理系统至少包括卡盘和上部电极,所述方法包括:
沿第一多个路径移动遍历组件以生成第一多个数据集,所述遍历组件至少包括光源,所述光源提供光束,沿所述第一多个路径的每个路径移动所述遍历组件使得所述光束遍历所述卡盘并得到所述第一多个数据集的一个或多个数据集;
接收所述第一多个数据集;
分析所述第一多个数据集以识别出至少三个间断组成的第一组,其中所述至少三个间断组成的第一组与当所述光束碰到所述卡盘的边缘生成的三个或多个反射光信号相关;以及
使用与所述至少三个间断组成的第一组关联的坐标数据确定所述卡盘的中心。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
基于所述至少三个间断组成的第一组确定三个或多个坐标数据点组成的第一组;
基于所述三个或多个坐标数据点组成的第一组确定所述卡盘的所述中心和所述卡盘的绝对位置。
3.根据权利要求2所述的方法,进一步包括应用所述卡盘的所述绝对位置和所述卡盘的预期位置来确定所述卡盘的所述绝对位置和所述卡盘的所述预期位置之间的偏移。
4.根据权利要求2所述的方法,进一步包括利用所述卡盘的所述绝对位置和上部电极的绝对位置计算所述上部电极和所述卡盘之间的相对偏移。
5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括
沿第二多个路径移动所述遍历组件以生成第二多个数据集,沿所述第二多个路径的每个路径移动所述遍历组件使得所述光束和第二光束的至少一个遍历所述上部电极并得到所述第二多个数据集的一个或多个数据集,
接收所述第二多个数据集;
分析所述第二多个数据集以识别至少三个间断组成的第二组,所述至少三个间断组成的第二组表示所述上部电极的所述边缘上三个或多个点,和
使用与所述至少三个间断组成的第二组关联的坐标数据确定所述上部电极的中心。
6.根据权利要求5所述的方法,进一步包括:
基于所述至少三个间断组成的第二组确定三个或多个坐标数据点组成的第二组;
基于所述三个或多个第二坐标数据点确定所述上部电极的所述中心和所述上部电极的绝对位置。
7.根据权利要求6所述的方法,进一步包括利用所述上部电极的所述绝对位置和所述上部电极的预期位置以确定所述上部电极的所述绝对位置和所述所述上部电极的预期位置之间的偏移。
8.根据权利要求5所述的方法,进一步包括将光学校准固定装置设在预定的位置,所述第一多个路径构造为遍历所述预定的位置,所述光学校准固定装置具有多个校准区域,沿所述第一多个路径的每个路径移动所述遍历组件使得所述光束遍历所述光学校准固定装置并得到第三多个数据集的一个或多个数据集,所述第三多个数据集表示所述多个校准区域的每个校准区域的测得反射率变化。
9.根据权利要求1所述的方法,进一步包括将光学校准固定装置设在预定的位置,所述第一多个路径构造为遍历所述预定的位置,所述光学校准固定装置具有多个校准区域,沿所述第一多个路径的每个路径移动所述遍历组件使得所述光束遍历所述光学校准固定装置并得到第三多个数据集的一个或多个数据集,所述第三多个数据集表示所述多个校准区域的每个校准区域的测得反射率变化。
10.一种生成等离子以至少处理基片的等离子处理系统,所述系统包括:
卡盘,用于支撑所述基片;
至少包括光源的遍历组件,所述光源提供光束;
移动机构,用于沿第一多个路径移动所述遍历组件以生成第一多个数据集,所述遍历组件,沿所述第一多个路径的每个路径移动所述遍历组件使得所述光束遍历所述卡盘并得到所述第一多个数据集的一个或多个数据集;
传感器,用于接收所述第一多个数据集;
处理单元,用于下列的至少一个:
分析所述第一多个数据集以识别出至少三个间断组成的第一组,其中所述至少三个间断组成的第一组与当所述光束碰到所述卡盘的边缘时生成的三个或多个反射光信号相关,和
使用与所述至少三个间断组成的第一组关联的坐标数据确定所述卡盘的中心。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





