[发明专利]用于交叉点可变电阻材料存储器的掩埋式低电阻金属字线

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其包含：

通过使用硬掩模在安置于下部半导电衬底上面的上部半导电衬底中形成第一凹 部；

在所述第一凹部中形成间隔件；

形成第二凹部，其至少穿透到所述上部半导电衬底中且在所述上部半导电衬底中 形成支柱；

在所述支柱中形成掩埋式自对准多晶硅化物字线；

邻近所述支柱形成浅沟槽隔离；

在所述硬掩模的使所述支柱在其上部表面处暴露的凹部中形成二极管，所述掩埋 式自对准多晶硅化物字线至少部分地安置于所述二极管的最低部分的水平的下面；以 及

形成耦合到所述二极管的可变电阻材料存储器。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述支柱中形成所述掩埋式自对准多晶 硅化物字线包括：

在所述支柱上方且在所述第二凹部中形成金属；以及

加热所述金属以在所述支柱中形成所述掩埋式硅化物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硬掩模的使所述支柱在其上部表面 处暴露的凹部中形成所述二极管包括：

在所述硬掩模中蚀刻以形成所述凹部；

在所述上部表面处，在所述支柱上面及其上形成外延第一膜；以及

在所述外延第一膜上面及其上形成外延第二膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其中形成耦合到所述二极管的所述可变电阻材 料存储器包括：

将所述外延第二膜的一部分硅化以形成硅化物触点；

在所述硅化物触点上形成底部电极；

在所述底部电极上形成可变电阻材料存储器；以及

在所述可变电阻材料存储器上形成顶部电极。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硬掩模的使所述支柱在其上部表面 处暴露的凹部中形成所述二极管包括：

在所述硬掩模中蚀刻以形成所述凹部；

在所述上部表面处，在所述支柱上面及其上形成外延第一膜；以及

在所述外延第一膜上面及其上形成第二膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成耦合到所述二极管的所述可变电阻材 料存储器包括：

将所述第二膜的一部分硅化以形成硅化物触点；

在所述硅化物触点上形成底部电极；

在所述底部电极上形成可变电阻材料存储器；以及

在所述可变电阻材料存储器上形成顶部电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隔件为第一间隔件且形成所述第二 凹部，所述方法进一步包括：

在所述第二凹部中且在所述第一间隔件上形成第二间隔件；

在所述第二间隔件下面进行蚀刻以在所述支柱下面形成底切；以及

用掩埋式氧化物填充所述底切。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隔件为氮化物第一间隔件，在形成 所述氮化物第一间隔件之后且在形成所述第二凹部之前，所述方法包括：

在所述第一凹部中且在所述氮化物第一间隔件上形成第二间隔件。

9.一种制造半导体装置的方法，其包含：

通过使用硬掩模在安置于下部半导电衬底上面的上部半导电衬底中形成第一凹 部；

在所述凹部中形成临时间隔件；

形成第二凹部，其穿透到所述下部半导电衬底中且在所述上部半导电衬底中形成 支柱；

在所述下部半导电衬底中且在所述支柱中形成掩埋式氧化物；

移除所述临时间隔件；

在所述支柱上形成氮化物第一间隔件；

在所述氮化物间隔件上形成金属第二间隔件；

邻近所述支柱形成浅沟槽隔离；

在所述硬掩模的使所述支柱在其上部表面处暴露的凹部中形成二极管；以及

形成耦合到所述二极管的可变电阻材料存储器。