[发明专利]半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法

说明书

技术领域

实施例涉及一种半导体发光器件以及制造该半导体发光器件的方法。

背景技术

可注意到III-V族氮化物半导体因其物理特性和化学特性而作为发光 器件(诸如发光二极管(LED)或激光二极管(LD))的主要材料。

III-V族氮化物半导体广泛用于发射具有蓝光波段或绿光波段的光的 发光器件，并且被用作各种产品的光源，这些产品例如是高速开关器件(诸 如金属半导体场效应晶体管(MESFET)和异质结场效应晶体管 (HEMT))、高输出器件、移动电话的键区发光单元、电子记分牌以及照 明设施。

发明内容

技术问题

实施例提供一种可以使用光源在至少一个半导体层中生成少数载流 子的半导体发光器件，以及一种制造所述半导体发光器件的方法。

实施例提供一种可以使无掺杂半导体层暴露于来自光源的光下的半 导体发光器件，以及一种制造所述半导体发光器件的方法。

实施例提供一种可以使第一导电半导体层与有源层之间的包括低摩 尔铟的InGaN层暴露于来自光源的光下的半导体发光器件，以及一种制 造所述半导体发光器件的方法。

实施例提供一种可以通过使有源层的量子阱层暴露于来自光源的光 下来生成少数空穴的半导体发光器件，以及一种制造所述半导体发光器件 的方法。

实施例提供一种可以通过使有源层上面的第二导电半导体层暴露于 来自光源的光下来生成少数电子的半导体发光器件。

技术方案

实施例提供一种半导体发光器件，其包括：半导体发光器件，该半导 体发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括：发射电子的第一半导 体层、发射空穴的第二半导体层以及通过电子和空穴的复合来发光的有源 层，其中，所述发光结构层中的至少一层包括光增强型少数载流子。

实施例提供一种半导体发光器件，其包括：发光结构层，该发光结构 层包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第一半导体层包括 第一无掺杂半导体层、第一导电半导体层以及低摩尔InGaN层中的至少 一层，所述有源层在第一半导体层上面，所述第二半导体层在有源层上面， 其中，所述发光结构层中的至少一层包括光增强型少数载流子。

实施例提供一种制造半导体发光器件的方法，其包括：形成第一半导 体层；在第一半导体层上面形成有源层；以及在有源层上面形成第二半导 体层，其中，各层中的至少一层是通过曝光工艺生长的。

有益效果

实施例可以提高有源层的发光效率。

实施例可以提高电气容限，诸如ESD(静电放电)，并且提高半导体 发光器件的二极管电气特性(诸如反向电流、反向电压等)和光。

实施例可以提供具有极好晶态的第一导电半导体层。

附图说明

图1是根据第一实施例的半导体发光器件的侧剖面图。

图2是图1的无掺杂半导体层的形成示例的图。

图3是使用图1的水平半导体发光器件的侧剖面图。

图4是使用图1的垂直半导体发光器件的侧剖面图。

图5是根据第二实施例的半导体发光器件的侧剖面图。

图6是图5的有源层的量子阱层的形成示例的图。

图7是使用图5的水平半导体发光器件的侧剖面图。

图8是使用图5的垂直半导体发光器件的侧剖面图。

图9是根据第三实施例的半导体发光器件的侧剖面图。

图10是图9中的低摩尔InGaN层的V缺陷的示例的图。

图11是图9的低摩尔InGaN层的形成示例的图。

图12是使用图9的水平半导体发光器件的侧剖面图。

图13是使用图9的垂直半导体发光器件的侧剖面图。

图14是根据第四实施例的半导体发光器件的侧剖面图。

图15是图14的第二导电半导体层的灯曝光示例的图。

图16是使用图14的水平半导体发光器件的侧剖面图。

图17是使用图14的垂直半导体发光器件的侧剖面图。

具体实施方式