[发明专利]多靶溅射源及沉积多层的方法

权利要求书

1.一种溅射源，包括：

第一靶布置(1a，1b)和第二靶布置(3a，3b)；

当从上方看时所述第二靶布置(3a，3b)放置在第一靶布置(1a，1b)周围；

当从上方看时所述第一靶布置(1a，1b)包括由所述第二靶布置(3a，3b)的 内边界区域围绕并离所述第二靶布置(3a，3b)的内边界区域一定距离的外边 界区域；

所述第一靶布置(1a，1b)包括第一上部(1a)和第一下部(1b)，当从上方 看时所述第一上部(1a)沿着所述第一靶布置(1a，1b)的外边界区域延伸并远 离所述第一靶布置(1a，1b)的外边界区域；

所述第一上部(1a)与所述第一下部(1b)分隔开，且所述第一上部和所 述第一下部(1a，1b)基本上沿着平行的平面布置；

所述第一上部(1a)在所述第一下部(1b)上方部分地突出；

所述第二靶布置(3a，3b)包括第二上部(3a)和第二下部(3b)，当从上方 看时所述第二上部(3a)沿着所述第二靶布置(3a，3b)的内边界区域延伸并远 离所述第二靶布置(3a，3b)的内边界区域；

所述第二上部(3a)与所述第二下部(3b)隔开，且所述第二上部(3a) 和所述第二下部(3b)基本上沿着平行的平面布置；

所述第二上部(3a)在所述第二下部(3b)上方部分地突出；和

用于产生磁场的装置，所述磁场产生装置用于产生分别至少部分地位于所 述第一和第二靶布置之上的第一和第二磁场。

2.权利要求1中的溅射源，至少一个所述靶布置包括槽、孔或缝隙。

3.权利要求1中的溅射源，另外包括当从上面看时布置在所述第一(1a，1b) 和第二(3a，3b)靶布置之间的第三靶布置(2)。

4.权利要求1中的溅射源，所述磁场产生装置用于分开产生分别至少部分 地位于所述第一(1a，1b)和第二(3a，3b)靶布置之上的第一和第二能够独立控 制的磁场。

5.权利要求4中的溅射源，所述磁场产生装置包括被分配以产生所述能够 独立控制的磁场的分开的功率源。

6.权利要求3中的溅射源，所述磁场产生装置产生至少部分地位于所述第 三(2)靶布置之上的第三能够独立控制的磁场。

7.权利要求1中的溅射源，所述第一和第二上部沿着共同上平面布置，所 述所述第一和第二下部(1b，3b)沿着共同下平面布置。

8.权利要求3中的溅射源，其中所述第一(1a)和第二(3a)上部沿着共 同上平面布置，所述所述第一(1b)和第二(3b)下部沿着共同下平面布置， 其中所述第三(2)靶布置沿着所述共同下平面布置。

9.上述权利要求之一中的溅射源，所述靶布置具有环形的同心设计，其中 从上面看时所述第二靶布置(3a，3b)同心地布置在所述第一靶布置(1a，1b)周 围。

10.上述权利要求1到8之一中的溅射源，所述靶布置相对于对称轴线性 拉长。

11.权利要求3中的溅射源，所述第一(1a，1b)和第二(3a，3b)靶布置中 的至少一个包含呈现高饱和磁化强度的材料。

12.权利要求3中的溅射源，所述第一(1a，1b)和第二(3a，3b)靶布置中 的至少一个包含呈现高饱和磁化强度的材料，并且所述第三(2)靶布置包含呈 现低饱和磁化强度的材料。

13.权利要求1中的溅射源，所述第一(1a，1b)和所述第二(3a，3b)靶布 置中的至少一个包含呈现高饱和磁化强度的材料。

14.权利要求3中的溅射源，所述第一(1a，1b)和第三(2)靶布置中的 至少一个包含呈现高饱和磁化强度的材料。