[发明专利]感光性组合物、方法、固化物以及液晶显示装置无效

专利信息
申请号: 200880018000.7 申请日: 2008-06-26
公开(公告)号: CN101681103A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 瑞穗右二;福井诚;高田芳宏;佐井经浩 申请(专利权)人: 三菱化学株式会社
主分类号: G03F7/027 分类号: G03F7/027;G02B5/20;G02F1/1335;G02F1/1339;G03F7/20
代理公司: 上海市华诚律师事务所 代理人: 徐申民;刘香兰
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 感光性 组合 方法 固化 以及 液晶 显示装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及感光性组合物等。更详细地说,涉及如液晶显示器等的液晶显示装置中,适宜用于以相同材料同时形成间隔物(spacer)和棱等的高度不同的固化物的方法的感光性组合物以及其方法等。

背景技术

以往,在形成液晶显示器等的像素层、黑色矩阵、保护膜、棱以及间隔物等中,一直使用由树脂、光聚合性单体以及光聚合引发剂等构成的感光性组合物。作为所述感光性组合物,有人从显影性、图形(pattern)精度、粘合性等的观点提出了各种组成。

近年来,液晶显示器在进行大型化和低成本化,与此同时要求提高生产率,对在制造显示器中用于形成必需的各种构件的感光性组合物,也要求高灵敏度化和生产工序的效率化。但是,另一方面,液晶显示器为了也推行高精细化,进一步要求制造稳定性。为了高水平地兼顾制造效率和制造稳定性,人们进行了各种组成和技术的研究。

作为达到制造效率化所用的一个方法,在专利文献1~4中公开了通过光刻蚀法用相同材料同时形成高度不同的固化物的方法。

根据该方法,可以用一个工序形成以往通过至少两个工序的光刻蚀法形成的高度不同的固化物,因此可以达到大幅度的制造效率化。作为用于这些的技术,提出了使用曝光掩模的方法,该曝光掩模具有遮挡光的透过的遮光部和使光透过的开口部,一部分开口部的光透过率被控制。

另一方面,作为表征组合物的性质的指标之一,专利文献5中提出了规定了γ值的负型蓝紫色激光感光性组合物。

专利文献1:日本专利特开2003-344860号公报

专利文献2:日本专利特开2004-45757号公报

专利文献3:日本专利特开2004-240136号公报

专利文献4:日本专利特开2006-301148号公报

专利文献5:日本专利特开2005-128508号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是,已知:通过光刻蚀法用相同材料同时形成高度不同的固化物时,即便使用以往已知的感光性组合物,确保制造稳定性尤其非常困难。即,在形成高度大不相同的固化物时,用以往已知的感光性组合物不能维持充分的高精度,结果高度均一性显著受损。例如,固化物为间隔物时,高度均一性是间隔物的必需性能,若高度均一性受损,就难以制造高精细的显示器。因此,要求可以用相同材料同时形成高度不同的固化物、且可以达到优异的高精度的组合物以及方法。

本发明是鉴于这样的情况而成的。即,本发明的主要目的在于,提供一种感光性组合物,其在通过光刻蚀法用相同材料同时形成高度不同的固化物的方法中具有优异的制造稳定性。

本发明的其他目的在于,提供一种用相同材料同时形成高度不同的固化物的方法,其特征在于,该方法使用了这样的感光性组合物。

此外,本发明的其他目的在于,提供一种由这样的感光性组合物以及方法所形成的固化物。

此外,还有,本发明的其他目的在于,提供一种具有高度均一性优异的固化物的液晶显示装置。

用于解决课题的手段

本发明人对上述课题认真研究的结果,通过注意曝光量和残膜率之间的关系以至完成本发明。

即,本发明的感光性组合物,特征在于,该感光性组合物是为用相同材料同时形成高度不同的固化物所供应的感光性组合物,在将曝光部的残膜率[t(%)]相对于曝光量的对数[logE(mJ/cm2)]制曲线的残膜率-曝光量曲线中,将残膜率的60%和90%的点连接的下述式(1)的直线的γ值为15以上、且不满45。

t=γlogE+δ...(1)

[这里,介由负掩膜图形形成图像时,如下表示残膜率t(%)。

残膜率[t(%)]={(各曝光量下的图形高度)/(1000mJ/cm2曝光量下的图形高度)}×100]

这里,特征在于,感光性组合物的双键当量300以下,可以形成在由微小硬度计进行的负载-卸载试验中满足下述(1)、并且满足下述(2)及/或(3)的固化物。

(1)变形量为1.4μm以上;

(2)弹性复原率为50%以上;

(3)回复率为80%以上。

此外,特征在于,可以形成在由微小硬度计进行的负载-卸载试验中满足下述(2)及/或(3)、且满足下述(4)的固化物。

(2)弹性复原率为50%以上;

(3)回复率为80%以上。

(4)底断面积在25μm2以下。

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