[发明专利]具有垂直存取装置的存储器

权利要求书

1.一种形成用于存储器装置的存储器装置结构的方法，其包括：

在衬底中提供凹座，所述凹座具有一对相对的侧壁和在所述相对的侧壁之间延伸 的底面；

向所述凹座的所述侧壁和所述底面沉积介电层；

在所述介电层上形成导电薄膜；及

对所述导电薄膜进行处理以从所述凹座的所述底面移除所述薄膜并从所述相对 的侧壁移除所述导电薄膜的至少一部分，其中对所述导电薄膜进行处理进一步包 括：

向所述导电薄膜沉积辅助层；

对所述辅助层和所述导电薄膜进行间隔物蚀刻以从所述凹座的所述底面移除 所述辅助层和所述导电薄膜；及

对所述导电薄膜的定位于所述辅助层与所述介电层之间且邻近所述侧壁的部 分进行底切以用可调整的方式获得选定操作特性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中提供凹座进一步包括将所述凹座蚀刻到1.5F的 深度，其中F是所述存储器装置的特征尺寸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述凹座蚀刻到1.5F的深度进一步包括将所 述凹座蚀刻到1750埃的深度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中向所述凹座的所述侧壁和所述底面沉积介电层进 一步包括生长二氧化硅层和氮化硅层中的一者。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述介电层上形成导电薄膜进一步包括将所述 导电薄膜沉积到0.25F与0.5F之间的范围内的厚度，其中F是所述存储器装置的 特征尺寸。

6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述导电薄膜沉积到0.25F与0.5F之间的范 围内的厚度进一步包括将所述薄膜形成到150埃与350埃之间的范围 内的厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述介电层上形成导电薄膜进一步包括沉积金 属层、多晶硅层、氮化钛(TiN)层、氮化钽(TaN)层、硅化钴(CoSi)层和硅 化镍(NiSi)层中的一者。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括移除所述辅助层的邻近所述侧壁的部 分。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过形成邻近所述导电薄膜的具有选定 导电性的区而在所述装置中提供有源区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其中通过形成具有选定导电性的区而在所述装置中提 供有源区域进一步包括形成具有n导电性的区。

11.根据权利要求9所述的方法，其中通过形成具有选定导电性的区而在所述装置中提 供有源区域进一步包括形成具有p导电性的区。

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括提供具有第一导电性的第一区和具有第 二导电性的第二区，其中所述第一导电性不同于所述第二导电性。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过在所述凹座中沉积导电材料而在所 述凹座中形成导电栅极结构，及将所述导电栅极结构耦合到导电字线结构。

14.一种存储器装置结构，其包括：

多个凹座，其形成在半导体衬底中，所述凹座中的每一者包含一对相对侧壁，所 述侧壁包含具有选定导电性的有源区；

导电薄膜结构，其至少部分地设置在所述凹座的相应侧壁上；

介电层，其插入在所述有源区与所述导电薄膜结构之间；及

多个第一沟槽，其形成在所述多个凹座中的邻近凹座之间，且在垂直于所述多个 凹座的多对相对侧壁的方向上延伸，且具有大于所述多个凹座的深度的深度。

15.根据权利要求14所述的存储器装置结构，其中所述半导体衬底进一步包括块状硅 衬底与绝缘体上硅衬底中的一者。

16.根据权利要求15所述的存储器装置结构，其中所述半导体衬底进一步包括包含掺 杂和未掺杂半导体材料、硅的外延层、由锗形成的部分、由硅和锗组合形成的部分 和由砷化镓形成的部分中的至少一者。