[实用新型]发光二极管的无打线封装结构无效

专利信息
申请号: 200820124896.4 申请日: 2008-07-07
公开(公告)号: CN201243024Y 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 何昆耀 申请(专利权)人: 何昆耀
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L23/495;H01L23/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 梁爱荣
地址: 台湾省台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 无打线 封装 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型有关一种半导体封装结构,特别是指一种可提高散热效能的发光二极管的无打线封装结构。

背景技术

发光二极管不同于传统的白炽灯泡以大电流使灯丝热到发光,利用半导体材料中的电子电洞结合时以发光的方式来显示其释放出的能量,使得发光二极管仅须一极小的电流即可激发出相当的光亮。发光二极管具体积小、寿命长、驱动电压低、耗电量低、反应速率快、耐震性特佳及单色性佳等优点,因此在照明及显示器背光源等应用上逐渐受到重视。

然而,目前发光二极管的最大技术问题点在于散热问题。发光二极管在操作时通常会伴随着热量的累积,尤其是就高亮度或数组化发光二极管而言,温度升高会对于发光二极管的发光效率跟质量产生不良影响,故散热优良与否也决定了发光二极管的工作效能。

发光二极管的封装对于散热的影响颇大,为了解决散热问题,前案譬如中国台湾专利公告第200635073号与第I272731号皆揭露了发光二极管无打线的封装结构,启参阅图1,将发光二极管芯片100以倒置芯片(flip-chip)方式焊接(die bonding)在硅晶辅助框架110内的U型腔室内,形成迭置封装模块,再将此模块以倒置芯片表面封装于具有散热效果的铝制电路板120上,因此获得十分良好的热传导,可忍受较大电流而增强发光二极管的发光强度。

实用新型内容

鉴于以上的问题,本实用新型的主要目的在于提供一种发光二极管的无打线封装结构,用以大体上解决背景技术存在的缺点,不仅可以克服打线所衍生的各种问题,且制程上更加容易达成,且通过导电凸块的方式来取代打线,散热面积更大、进一步提高散热效果。

因此,为达上述目的,本实用新型所揭露的发光二极管的无打线封装结构,包含导热板、发光二极管芯片、以及导线框架,发光二极管芯片设置于导热板上方,并具有主动表面以及位于主动表面上的至少一个或多个导电凸块,而导线框架设置于导热板上方并围绕于发光二极管芯片形成一个腔体结构,且具有至少一接合部延伸至发光二极管芯片上方,以供发光二极管芯片由导电凸块来接合。

其中,该导热板为铜板、铝板或是表面镀镍、镀锡或下方设有散热器(heat sink)的基板。

其中,该导线框架上方设有一反射槽,该反射槽表面镀有一金属反射层,且该导线框架内侧以及该导热板上表面具有一反射面。

其中,该金属反射层与该反射面的材质为锡、银或铝。

其中,该反射槽上方以封装树脂接合一透镜。

其中,该导线框架经过镀锡、镀银、镀钯、镀合金或镀镍/金处理。

其中,所述导电凸块的材质选自铜/镍/金、铜/锡、铜/抗氧化保护膜(OSP;Oxidation protection layer)或镍/金、钯、金等金属或合金或导电体。

其中,该发光二极管芯片通过焊锡膏、锡球、银胶、锡或导电胶与该导热板结合,且该发光二极管芯片通过热压法或热压法结合超音波接合法接合于该导热板上。

其中,该导线框架的上表面的导线连接到边缘而与下表面的导线接合。

其中,该导线框架还包含至少一导电贯穿孔,以连接该导线框架上、下表面的多条导线。

本实用新型的有益效果:通过导线框架的接合部的设计,配合发光二极管芯片上方的导电凸块来配合加以接合,而能取代现有技术的打线的方式,使得制程步骤更加简化、且易于达成,同时,因为导电凸块的面积远大于打线,故散热面积更大,进一步提高散热效果。

附图说明

图1为现有技术发光二极管的采用覆晶方式的封装结构;

图2为本实用新型的第一实施例所提供的发光二极管的无打线封装结构;

图3为本实用新型的第二实施例所提供的发光二极管的无打线封装结构;以及

图4为本实用新型的第三实施例所提供的发光二极管的无打线封装结构。

【图号说明】

100              发光二极管芯片

110              硅晶辅助框架

120              铝制电路板

200              发光二极管芯片

201              导电凸块

210              导热板

220              导线框架

221              接合部

222              反射面

250              反射槽

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