[实用新型]发光二极管的无打线封装结构无效
申请号: | 200820124896.4 | 申请日: | 2008-07-07 |
公开(公告)号: | CN201243024Y | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 何昆耀 | 申请(专利权)人: | 何昆耀 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/495;H01L23/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 台湾省台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 无打线 封装 结构 | ||
1、一种发光二极管的无打线封装结构,其特征在于,包含:
一导热板;
一发光二极管芯片,设置于该导热板上方,并具有一主动表面以及位于该主动表面上的至少一个导电凸块;及
一导线框架,设置于该导热板上方并围绕于该发光二极管芯片,且具有至少一接合部延伸至该发光二极管芯片上方,以供该发光二极管芯片通过所述导电凸块接合。
2、如权利要求1所述的发光二极管的无打线封装结构,其特征在于,该导热板为铜板、铝板或是表面镀镍、镀锡或下方设有散热器的基板。
3、如权利要求1所述的发光二极管的无打线封装结构,其特征在于,该导线框架上方设有一反射槽,该反射槽表面镀有一金属反射层,且该导线框架内侧以及该导热板上表面具有一反射面。
4、如权利要求3所述的发光二极管的无打线封装结构,其特征在于,该金属反射层与该反射面的材质为锡、银或铝。
5、如权利要求3所述的发光二极管的无打线封装结构,其特征在于,该反射槽上方以封装树脂接合一透镜。
6、如权利要求1所述的发光二极管的无打线封装结构,其特征在于,该导线框架经过镀锡、镀银、镀钯、镀合金或镀镍/金处理。
7、如权利要求1所述的发光二极管的无打线封装结构,其特征在于,所述导电凸块的材质选自铜/镍/金、铜/锡、铜/抗氧化保护膜或镍/金、钯、金等金属或合金或导电体。
8、如权利要求1所述的发光二极管的无打线封装结构,其特征在于,该发光二极管芯片通过焊锡膏、锡球、银胶、锡或导电胶与该导热板结合,且该发光二极管芯片通过热压法或热压法结合超音波接合法接合于该导热板上。
9、如权利要求1所述的发光二极管的无打线封装结构,其特征在于,该导线框架的上表面的导线连接到边缘而与下表面的导线接合。
10、如权利要求1所述的发光二极管的无打线封装结构,其特征在于,该导线框架还包含至少一导电贯穿孔,以连接该导线框架上、下表面的多条导线。
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