[发明专利]一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统有效
| 申请号： | 200810223342.4 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399184A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 刘训春;王佳;周宗义;李兵;王建海;黄清华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 反应 离子 刻蚀 偏压 方法 系统 | ||
1.一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法，其特征在于，在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路，所述LC谐振回路的谐振频率与所述反应离子刻蚀的反应室的射频供电电源的频率相同。
2.如权利要求1所述的消除反应离子刻蚀自偏压的方法，其特征在于，所述LC谐振回路直接或通过一个切换开关与所述反应离子刻蚀的反应室的两个电极并联。
3.如权利要求1或2所述的消除反应离子刻蚀自偏压的方法，其特征在于，所述LC谐振回路中的电容是固定电容，或者是可变电容，或者是可变电容和固定电容的组合。
4.如权利要求1或2所述的消除反应离子刻蚀自偏压的方法，其特征在于，所述LC谐振回路中的所有电容均为高耐压电容，且所述LC谐振回路的总电容的耐电压值高于所述LC谐振回路上承受的最高电压值。
5.一种消除反应离子刻蚀自偏压的系统，所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备，所述射频供电模块通过所述匹配器与所述等离子设备的反应室连接，其特征在于，所述系统还包括消除自偏压模块，所述消除自偏压模块与所述等离子设备的反应室的两个电极并联，用于消除所述等离子设备的反应室的两个电极间的直流自偏压；所述消除自偏压模块具体为由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路，所述LC谐振回路的谐振频率与所述RF射频供电电源的频率相同。
6.如权利要求5所述的消除反应离子刻蚀自偏压的系统，其特征在于，所述射频供电模块具体为RF射频供电电源。
7.如权利要求6所述的消除反应离子刻蚀自偏压的系统，其特征在于，所述LC谐振回路直接或通过一个切换开关与所述等离子设备的反应室的两个电极并联。
8.如权利要求6所述的消除反应离子刻蚀自偏压的系统，其特征在于，所述LC谐振回路中的电容是固定电容，或者是可变电容，或者是可变电容和固定电容的组合。
9.如权利要求6所述的消除反应离子刻蚀自偏压的系统，其特征在于，所述LC谐振回路中的所有电容均为高耐压电容，且所述LC谐振回路的总电容的耐电压值高于所述LC谐振回路上承受的最高电压值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
