[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200810213941.8 申请日: 2008-08-28
公开(公告)号: CN101383182A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 小池刚;金原旭成 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C7/12 分类号: G11C7/12;G11C11/413;G11C11/417
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 罗正云;宋志强
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,包括:

存储单元;

位线,被连接至所述存储单元;

预充电电路,用于将所述位线的电压逐步升高到电源电压;

降压电路,用于在数据从所述存储单元中被读取之前,将所述位线的电 压逐步降低到低于所述电源电压的电压电平;

高电势侧电源和低电势侧电源,分别被连接至所述预充电电路;以及

预充电开关元件,用于控制所述高电势侧电源与所述预充电电路之间的 连接和所述低电势侧电源与所述预充电电路之间的连接,其中:

在所述预充电开关元件与所述高电势侧电源之间提供有电源连接电路, 并且

在所述预充电开关元件连接至所述电源连接电路的连接点与所述低电 势侧电源之间提供有地连接电路,其中:

所述电源连接电路和所述地连接电路一起被构成为反相器,所述反相器 由公共的预充电/降压控制信号来导通和断开。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中所述电源连接电路和所 述地连接电路被同等地连接至多列的一组位线,所述多列的一组位线对应于 多列的存储单元。

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