[发明专利]一种相变随机存储器

权利要求书

1.一种相变随机存储器，其特征在于：它包括存储单元阵列(51)、字线译码器(52)、逻辑控制模块(53)、写入模块(54)、读出模块(55)、输入输出端口控制模块(56)；

逻辑控制模块(53)分别接收来自于外部提供的芯片选通信号和芯片读写信号，经电路转换得到写使能信号和读使能信号，并将写使能信号输出至写入模块(54)，将读使能信号输出至输入输出端口控制模块(56)；逻辑控制模块(53)包括第一至第四反相器(INV₁～INV₄)，以及第一、第二与非门(NAND₁、NAND₂)；第一反相器(INV₁)的输入端接芯片读写信号，其输出端与第一与非门(NAND₁)的一个输入端相连，第一与非门(NAND₁)的另一个输入端与第二与非门(NAND₂)的一个输入端以及第二反相器(INV₂)的输出端相连，第一与非门(NAND₁)的输出端与第三反相器(INV₃)的输入端相连，第三反相器(INV₃)输出写使能信号(WRP)，第二反相器(INV₂)的输入端接外部提供的芯片选通信号，第二与非门(NAND₂)的另一个输入端接芯片读写信号，第二与非门(NAND₂)的输出端与第四反相器(INV₄)的输入端相连，第四反相器(INV₄)输出读使能信号(RDP)；

字线译码器(52)用于实现读写单元的选择；它分别接收外部的芯片选通信号和字线地址，将字线地址进行译码处理，输出字线选通信号至存储单元阵列(51)；

存储单元阵列(51)包括多个存储单元，它根据字线选通信号确定选通的字线，该选通的字线上的8位存储单元作为选中的写单元或读单元；

输入输出端口控制模块(56)根据接收到的读使能信号确定I/O接口的信号流动方向，当读使能信号为低电平时，通过I/O接口接收来自于外部的带有存储信息的信号Din，并输出至写入模块(54)；当读使能信号为高电平时，接收读出模块(55)输出的带有存储阵列中存储信息的信号Dout；

写入模块(54)的二个接收端分别与外部的第一、第二偏置电阻相连，写入模块(54)根据写使能信号，二个偏置电阻的电阻值，以及外部的带有存储 信息的信号Din，产生幅值和脉宽不同的电流，并将该电流输入至所选中的8位写单元；

读出模块(55)分别与外部的第三偏置电阻和存储单元阵列(51)连接，将选中的读单元的电阻值转换成电平信号输出，转换后的电平信号为带有存储阵列中存储信息的信号Dout。

2.根据权利要求1所述的相变随机存储器，其特征在于：该相变随机存储器还包括位线译码器(57)，位线译码器(57)接收位线地址，输出位线选通信号至存储单元阵列(51)的位线。