[发明专利]一种太阳能级多晶硅材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 200810167817.2 申请日: 2008-10-10
公开(公告)号: CN101724898A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 刘占果;周勇;刘军锋 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B30/02;C25B1/00
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 王崇;王凤桐
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳 能级 多晶 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能级多晶硅材料的制备方法,该方法包括在熔盐中电解含 硅材料,其特征在于,以纯度大于或等于99.9999%的多晶硅材料为阴极, 以惰性导电材料为阳极;所述含硅材料为含硅和金属的材料,其中,硅比金 属更容易在阳极失去电子被氧化成阳离子,含硅材料的熔点不大于电解温 度;电解温度为700-1200℃。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,以含硅材料的重量为基准,硅 的含量为5-50重量%,金属的含量为50-95重量%。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述金属选自铜、银、锌、 金、钼和镍中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述熔盐是将碱金属的硅酸盐 和/或碱金属的氟硅酸盐与碱金属的氟化物的混合物熔融所形成的熔盐,所述 碱金属的硅酸盐和/或碱金属的氟硅酸盐与碱金属的氟化物的重量比为 1-6:1。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电解的条件包括阴极电流 密度为0.01-1.2安/平方厘米。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述惰性导电材料为石墨、铂、 铑或铂铑合金。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,该方法还包括在电解过程中, 将阴极不断旋转提升,提升的速率为0.05-60毫米/小时,旋转的速率为1-50 毫米/分钟。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,该方法还包括在电解结束后用 电阻率大于或等于18MΩ·cm的水洗涤制得的多晶硅。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,该方法还包括在电解前,用浓 度为1-5重量%的盐酸水溶液清洗阴极直到无金属离子被检出,然后用水清 洗,直到无氯离子被检出。

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