[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，且特别是 有关于一种形成有切裂标记以提高切裂制程的准确率的薄膜晶体管阵 列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)的制造程序主要可分成三大阶段，其分别为：薄膜 晶体管数组制程(TFT Array Process)、液晶单元制程(LC Cell Process)、模块组装制程(Module Assembly Process)。其中，薄膜晶 体管阵列基板制程是将玻璃基板透过镀膜、曝光、显影、蚀刻等处理， 制作成薄膜晶体管的阵列基板的制程。液晶单元制程主要是将数组制程 完成的TFT基板与彩色滤光片分别做配向处理，并进行对位压合、切割 面板、注入液晶、偏光版贴附及检测等工作。模块组装制程则是主要是 将切割完成的TFT-LCD面板与驱动IC、印刷电路板、背光版等外部零 组件进行组装制程，在进行最终成品检测。

目前，国内电子产业制造技术已经相当纯熟，薄膜晶体管数组制程 与模块组装制程的良率通常都保持在95％以上。但是，在液晶单元制程 的阶段则存在困难度较高的问题，这也是现行TFT-LCD面板制程的良率 最低的部份。

特别是，液晶单元制程中的「切裂」步骤是影响良率的重要关键之 一。由于，电子产业的产能被要求要不断地提升，以及基本使用率的提 高，紧密排版的设计也有增加的趋势。因此，对于面板的切裂制程的精 确度要求也就更为提高。

另外，在一些专利数据中有揭露关于在面板切裂制程的切裂标记的 制作与设计的相关技术，例如US 6,717,629；TW 200702863；TW 554196。 以上文献皆为本案的参考数据。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种薄膜晶体管阵列基板， 具有可判断实际切裂位置与预切裂位置的偏移程度的切裂标记，以进一 步提高切裂的精确度。

本发明的另一目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法， 能够以简易的方法形成切裂标记，并藉由切裂标记以显示出实际切裂位 置与预切裂位置的偏移程度，进而可提高制程良率。

为达上述或是其它目的，本发明提出一种薄膜晶体管阵列基板， 其包括：基板、多个像素结构以及多个切裂标记。其中，基板具有一组 件区与一切裂标记区。这些像素结构配置于组件区中，每一像素结构包 括一薄膜晶体管、一像素电极以及覆盖该薄膜晶体管的一保护层。这些 切裂标记配置于切裂标记区中，且位于一预切裂位置的两侧，并沿垂直 预切裂方向紧密地排列成行。而且，这些切裂标记是由至少两种颜色、 至少两种形状或者至少一种颜色与至少一种形状组成。

在本发明的一实施例中，第一、第二、第三、第四、第五切裂标记 的形状为完全相同的形状，但颜色不完全相同。

在本发明的一实施例中，第一、第二、第三、第四、第五切裂标记 的形状为完全不同的形状。

在本发明的一实施例中，第一、第二、第三、第四、第五切裂标记 的形状为部分相同的形状。

在本发明的一实施例中，每一个切裂标记与预切裂位置的距离为一 固定值的倍数。

在本发明的一实施例中，第一、第二、第三、第四、第五切裂标记 是依标记的材质不同来交错排列。

在本发明的一实施例中，第一、第二、第三、第四、第五切裂标记 是依标记的形状不同来交错排列。

在本发明的一实施例中，这些切裂标记中的一部份与薄膜晶体管的 栅极的材质相同。

在本发明的一实施例中，这些切裂标记中的一部份与薄膜晶体管的 半导体层的材质相同。

在本发明的一实施例中，这些切裂标记中的一部份与薄膜晶体管的 源极与漏极的材质相同。

在本发明的一实施例中，这些切裂标记中的一部份与保护层的材质 相同。

在本发明的一实施例中，这些切裂标记中的一部份与像素电极的材 质相同。