[发明专利]半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810165771.0 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101447640A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 山口勉;田代贺久;森健三;坂本博夫;西田武弘 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/022 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘 杰;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光装置，其特征在于，包括：
衬底，具有宽度和厚度；
半导体激光芯片，以结向下方式与上述衬底接合；以及
封装，与上述衬底接合，
与从上述半导体激光芯片照射的激光照射方向垂直的第一方向是上述衬底的宽度方向，
上述衬底的上述厚度被设定为：使得上述半导体激光芯片与上述衬底相接合的面的中心部所受到的等效应力与上述衬底的宽度方向的应力相乘后所得的数值不超过通过改变上述衬底的上述厚度所能得到的上述数值的最大值的70％。
2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
上述衬底的上述宽度被设定为：使得上述数值不超过通过改变上述衬底的上述宽度所能得到的上述数值的最大值的17％。
3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
上述衬底由AlN构成，其宽度为600μm～750μm，厚度大于等于350μm或小于等于190μm。
4.如权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于，
上述衬底由AlN构成，其宽度大于等于950μm，厚度为240μm左右。
5.如权利要求1～4中任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，
上述半导体激光芯片具有：
集成在单片电路上并且具有不同波长的多个半导体激光器。
6.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
将半导体激光芯片以结向下方式接合到衬底的工序；以及
将上述衬底接合到封装上的工序，
与从上述半导体激光芯片照射的激光照射方向垂直的第一方向是上述衬底的宽度方向，
上述衬底的上述厚度被设定为：使得上述半导体激光芯片与上述衬底相接合的面的中心部所受到的等效应力与上述衬底的宽度方向的应力相乘后所得的数值不超过通过改变上述衬底的上述厚度所能得到的上述数值的最大值的70％。
7.如权利要求6所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
上述衬底的上述宽度被设定为：使得上述数值不超过通过改变上述衬底的上述宽度所能得到的上述数值的最大值的17％。
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