[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造工艺

说明书

技术领域

本发明是关于一种薄膜晶体管基板及其制造工艺。

背景技术

液晶显示面板通常包括一薄膜晶体管基板、一彩色滤光片基板和夹在该两个基板之间的液晶层，其是通过分别施加电压至该两个基板，控制其间液晶分子扭转而实现光的通过或不通过，从而达到显示的目的。传统液晶显示面板的液晶驱动方式为扭转向列模式，然而其视角范围比较窄，即从不同角度观测画面时，将观测到不同的显示效果。

边缘电场开关(Fringe Field Switching，FFS)技术是基于传统液晶显示面板的视角狭小等问题而提出的解决方案，其与平面内开关(In-Plane Switching，IPS)广视角技术不同之处在于，边缘开关技术将通过透明导电层形成的公共电极整体置于像素电极上方或下方，从而获得了高效的边缘电场，提高了开口率，并减少了光泄漏。因此，边缘电场开关技术具有更好的视角和对比度。

请参阅图1，是一种现有技术薄膜晶体管基板的局部平面示意图。该薄膜晶体管基板100包括多条平行间隔设置的扫描线117、多条平行间隔设置的数据线146、多个薄膜晶体管101、多个像素电极135和一公共电极156。该多条数据线146与该多条扫描线117垂直绝缘相交。该薄膜晶体管101位于该扫描线117与该数据线146的相交处。该薄膜晶体管101的栅极116连接到该扫描线117，源极144连接到该数据线146，漏极145连接到该像素电极135。

请参阅图2，是该薄膜晶体管基板100沿II1-II1方向和II2-II2方向的剖面示意图。该薄膜晶体管基板100包括一玻璃基底111。该扫描线117和该栅极116设置在该玻璃基底111的上表面。该扫描线117、该栅极116和该玻璃基底111的上表面设置有一栅极绝缘层121。该半导体沟道层126对应该栅极116设置在该栅极绝缘层121的上表面，该像素电极135邻近该半导体沟道层126设置在该栅极绝缘层121的上表面。该源极144和该漏极145对应该栅极116设置在该半导体层沟道层126的上表面，且该漏极145覆盖介于该半导体沟道层126与该像素电极135之间的栅极绝缘层121和该像素电极135的一部分，该数据线146跨过该扫描线117设置在该栅极绝缘层121的上表面。该钝化层151覆盖该数据线146、该栅极绝缘层121、该源极144、该漏极145和该像素电极135。该公共电极156对应该数据线146和该像素电极135设置在该钝化层151的上表面。

请参阅图3，是该薄膜晶体管基板100的制造工艺流程图。该薄膜晶体管基板100的制造工艺主要包括五道掩膜，其主要步骤如下：

步骤S1：形成栅极和扫描线；

步骤S2：形成栅极绝缘层和半导体沟道层；

步骤S3：形成像素电极；

步骤S4：形成源极、漏极、数据线和沟槽；

步骤S5：形成钝化层和公共电极。

但是，由上述制造工艺得到的该薄膜晶体管基板100，其数据线146与公共电极156之间和像素电极135与公共电极156之间都仅具有一钝化层151，从而该数据线146与该公共电极156构成的电容和该像素电极135与该公共电极156构成的电容的两个极板间的厚度较薄，使得该两个电容的电容值较大，因而对该两个电容充电需耗费较多电量且需要较长的充电时间。

发明内容

为了解决现有技术薄膜晶体管基板耗电多且充电时间长的问题，有必要提供一种耗电少且充电时间短的薄膜晶体管基板。

为了解决现有技术薄膜晶体管基板制造工艺得到的薄膜晶体管基板耗电多且充电时间长的问题，有必要提供一种耗电少且充电时间短的薄膜晶体管基板的制造工艺。

一种薄膜晶体管基板，其包括多条扫描线，多个薄膜晶体管，多条与该多条扫描线设置在同一层的第一数据线，多条跨过该扫描线而连接该第一数据线的第二数据线，一覆盖该第一数据线的公共电极。该薄膜晶体管的栅极连接到该扫描线，源极连接到该第二数据线。