[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造工艺

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其包括：多条扫描线、多个薄膜晶体管及一公共电极，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括多条与该多条扫描线设置在同一层的第一数据线及多条第二数据线，该第二数据线跨过该扫描线而连接该第一数据线，该多个薄膜晶体管的栅极分别连接到该多条扫描线，源极分别连接到该多条第二数据线，该公共电极覆盖该第一数据线。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括多个第一通孔，该第一数据线与该扫描线相互垂直且在靠近该扫描线处断开，该第二数据线通过两个第一通孔跨接位于该扫描线两侧的第一数据线。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括多个像素电极和多个第二通孔，该像素电极与该扫描线设置在同一层，该薄膜晶体管的漏极通过该第二通孔连接到该像素电极。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该第一通孔和该第二通孔在同一掩膜制造工艺步骤中形成。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该公共电极进一步覆盖该扫描线、该第二数据线和该像素电极。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该第一数据线与该扫描线是相同材料。

7.一种薄膜晶体管基板的制造工艺，其包括如下步骤：

a.提供一基底，在该基底上形成多个薄膜晶体管的栅极、多条扫描线和多条第一数据线；

b.在该基底上形成像素电极；

c.在该多个薄膜晶体管的栅极、该多条扫描线、该多条第一数据线和该像素电极上形成一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上依序形成一半导体沟道层；

d.在该半导体沟道层上形成多个薄膜晶体管的源极、漏极和多条跨过该扫描线而连接该第一数据线的第二数据线；

e.在该多个薄膜晶体管的源极、漏极和该多条第二数据线上形成一钝化层；在该钝化层上形成一覆盖该第一数据线的公共电极。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板的制造工艺，其特征在于：该步骤c中进一步包括贯穿该栅极绝缘层的多个第一通孔和多个第二通孔，该第一通孔对应该第二数据线，该第二通孔对应该薄膜晶体管的漏极，该第一通孔和该第二通孔在同一掩膜制造工艺步骤中形成。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板的制造工艺，其特征在于：该步骤a中，该闸极、该扫描线及该第一数据线在同一掩膜制造工艺步骤中形成。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板的制造工艺，其特征在于：该步骤d中，该源极、该漏极及该第二数据线在同一掩膜制造工艺步骤中形成。