[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在提供在衬底上的蚀刻目标层上形成多个第一硬掩模图案；

在所述第一硬掩模图案上形成牺牲层，所述牺牲层与所述第一硬掩模图案共形并且限定多个结构和多个间隙；

在所述牺牲层上形成第二硬掩模层，所述第二硬掩模层填充所述间隙；

蚀刻所述第二硬掩模层的上部，以形成限定在所述间隙内的第二硬掩模图案，所述牺牲层暴露在所述第一硬掩模图案与所述第二硬掩模图案之间；

移除在所述第一硬掩模图案与所述第二硬掩模图案之间的暴露的牺牲层，所述蚀刻目标层暴露在所述第一硬掩模图案与所述第二硬掩模图案之间；和

使用所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述暴露的蚀刻目标层，以形成第一蚀刻目标图案和第二蚀刻目标图案，

其中在形成所述第一硬掩模图案时，蚀刻所述蚀刻目标层的一部分，使得所述蚀刻目标层具有多个浅沟槽。

2.如权利要求1的方法，其中所述第一硬掩模图案与所述第二硬掩模图案具有基本相同的宽度。

3.如权利要求1的方法，其中通过使用回蚀工艺来蚀刻所述第二硬掩模层的上部。

4.如权利要求1的方法，其中通过使用光刻胶图案来图案化所述多个第一硬掩模图案。

5.如权利要求1的方法，其中所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案包含多晶硅，所述蚀刻目标层包含氧化物。

6.如权利要求1的方法，其中所述牺牲层包括低压原硅酸四乙酯(LPTEOS)层或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氧化物层。

7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在提供在衬底上的蚀刻目标层上形成多个第一硬掩模图案，所述第一硬掩模图案具有第一间距；

以共形的方式在所述第一硬掩模图案上形成牺牲层，所述牺牲层限定多个结构和多个间隙；

蚀刻所述牺牲层，以形成暴露出所述第一硬掩模图案的表面的牺牲图案；

在所述牺牲图案上和在所述间隙内形成第二硬掩模层；

移除所述第二硬掩模层的上部，以在所述牺牲图案之间和在所述间隙内形成第二硬掩模图案，所述牺牲图案暴露在所述第一硬掩模图案与所述第二硬掩模图案之间；

移除暴露在所述第一硬掩模图案与所述第二硬掩模图案之间的所述牺牲图案，所述蚀刻目标层暴露在所述第一硬掩模图案与所述第二硬掩模图案之间；和

使用所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述暴露的蚀刻目标层，以形成多个蚀刻目标图案，所述多个蚀刻目标图案具有小于所述第一间距的第二间距，

其中在形成所述第一硬掩模图案时，蚀刻所述蚀刻目标层的一部分，使得所述蚀刻目标层具有多个浅沟槽。

8.如权利要求7的方法，其中所述第一硬掩模图案与所述第二硬掩模图案形成为具有基本相同的关键尺寸。

9.如权利要求7的方法，其中两个邻近的蚀刻目标图案限定对应于所述牺牲层的宽度的间隙。

10.如权利要求7的方法，其中通过使用光刻胶图案来形成所述多个第一硬掩模图案。

11.如权利要求7的方法，其中所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案包含多晶硅，所述蚀刻目标层包含氧化物。

12.如权利要求7的方法，还包括：

在所述蚀刻目标层上形成第一硬掩模层；

在所述第一硬掩模层上形成含碳层；

在所述含碳层上形成氧氮化硅层；和

在所述氧氮化硅层上形成光刻胶图案。

13.如权利要求12的方法，还包括：

使用所述光刻胶图案作为掩模来蚀刻所述氧氮化硅层；和

使用所述蚀刻后的氧氮化硅层作为掩模来蚀刻所述含碳层，

其中通过使用所述蚀刻后的含碳层作掩模来蚀刻所述第一硬掩模层，从而形成所述第一硬掩模图案。

14.如权利要求7的方法，其中由所述牺牲层所限定的所述间隙的宽度与所述第一硬掩模图案的宽度基本相同。