[发明专利]成像元件封装、成像元件模块和透镜镜筒及图像获取装置无效
| 申请号: | 200810127760.3 | 申请日: | 2008-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN101312206A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
| 发明(设计)人: | 岩渊馨 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225;G02B7/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马高平 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成像 元件 封装 模块 透镜 图像 获取 装置 | ||
1.一种使用在透镜镜筒中的成像元件封装,包括:
具有成像表面的成像元件芯片;
其上安装有所述成像元件芯片的基底;
允许光通过的光学构件;和
支撑体,具有形成有作为成像光路的通透开口的主体部和设置于所述主体部上的联接部,所述联接部联接于所述透镜镜筒的镜筒上的联接位置,
其中,在所述成像表面从所述开口沿贯穿方向的一端朝向另一端的状态下,所述基底联接到所述主体部上,从而封闭所述开口在所述贯穿方向上的所述一端,并且
所述光学构件联接于所述主体部,从而封闭所述开口在所述贯穿方向上的所述另一端。
2.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,所述主体部和基底的联接通过粘接剂的粘合而实现。
3.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,所述主体部和光学构件的联接通过粘接剂的粘合而实现。
4.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,形成所述开口的所述主体部的内侧部由倾斜表面形成,使得所述开口的横截面沿所述贯穿方向从所述一端到所述另一端逐渐变小。
5.如权利要求1中所述的成像元件封装,其中,穿过所述成像表面的中心并垂直于成像表面的中心轴与所述开口的轴线相互重合,并且
形成所述开口的所述主体部的内侧部由倾斜表面形成,该倾斜表面随着其靠近成像元件芯片而逐渐远离成像元件芯片的中心轴。
6.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,所述基底由具有适于回流焊的充分耐热性的材料形成。
7.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,所述基底由陶瓷基底构成。
8.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,所述光学构件是防护玻璃罩、滤光片或透镜。
9.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,所述光学构件包括防护玻璃罩和涂覆层,所述涂覆层具有光学滤波功能并设置在所述防护玻璃罩的表面上。
10.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,所述支撑体由具有适于回流焊的充分耐热性并易于加工的材料形成。
11.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,所述支撑体由注模环氧树脂形成。
12.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,所述主体部包括由陶瓷材料制成的主体部构件,
所述联接部包括由金属材料制成的联接部构件,
所述支撑体是通过装配和集成所述主体部构件和联接部构件而形成的。
13.如权利要求12所述的成像元件封装,其中,所述主体部构件具有矩形管状形状,所述主体部构件的内部空间作为所述开口,
所述联接部构件具有尺寸大于所述主体部构件的矩形板状形状,并且设置有插孔,所述主体部构件插入该插孔中,所述插孔沿所述联接部构件的厚度方向,亦即所述开口的贯穿方向,而开设在所述联接部构件的中心处,
所述主体部构件和联接部构件的联接是通过在所述主体部构件插入在所述插孔中的情况下,将所述主体部构件的外周表面与所述联接部构件朝向该外周表面的部分利用玻璃焊接接合而实现的。
14.如权利要求13所述的成像元件封装,其中,所述联接部构件具有位于厚度方向上的两端上的第一表面和第二表面,所述第一表面位于所述主体部构件的设置有所述基底的部分上,而所述第二表面位于所述主体部构件的设置有光学构件的部分上,
一定位部形成在所述主体部构件的外周表面上,
所述定位部构造成使得当所述主体部构件插入在所述插孔中时,所述主体部构件接触所述联接部构件的第二表面,由此实现所述主体部构件相对于所述联接部构件沿所述插孔的贯穿方向的定位。
15.如权利要求1所述的成像元件封装,其中,所述联接部具有沿垂直于所述开口的贯穿方向的方向扩张的板状形状,并且
在所述联接部中,形成有沿平行于所述开口的贯穿方向的方向延伸的螺钉插孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





