[发明专利]具有多非易失性存储器的存储系统及其控制器与存取方法有效

专利信息
申请号: 200810125308.3 申请日: 2008-06-18
公开(公告)号: CN101609712A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 杨俊勇;朱健华;郑国义;梁立群;叶志刚 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G06F3/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 非易失性存储器 存储系统 及其 控制器 存取 方法
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器存储系统,包括:

一传输接口,用以连接一主机;

一存储器模块,至少包括一第一非易失性存储器芯片与一第二非易失性 存储器芯片,该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片会通 过一芯片使能管脚同时接收一芯片使能信号而使能;以及

一控制器,耦接至该传输接口与该存储器模块且用以输出该芯片使能信 号,

其中当该控制器执行一多通道存取时,该控制器会使能该第一非易失性 存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片后对该第一非易失性存储器芯片与 该第二非易失性存储器芯片下达一存取指令,并且

当该控制器执行一单通道存取时,该控制器会使能该第一非易失性存储 器芯片与该第二非易失性存储器芯片后对该第一非易失性存储器芯片与该第 二非易失性存储器芯片的其中之一下达该存取指令,且对该第一非易失性存 储器芯片与该第二非易失性存储器芯片的另一个下达一非存取指令,其中该 非存取指令不会异动存储在该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存 储器芯片中的数据。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器存储系统,更包括:

多个I/O总线,分别地连接在该第一非易失性存储器芯片与该控制器之 间以及该第二非易失性存储器芯片与该控制器之间;以及

一控制总线,连接在该第一非易失性存储器芯片、该第二非易失性存储 器芯片与该控制器之间,其中该些I/O总线用以配合该控制总线执行该控制 器所下达的该存取指令与该非存取指令以及传送该控制器所存取的数据。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器存储系统,其中该存取指令为写 入指令或读取指令。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器存储系统,其中该非存取指令为 重置指令或状态查询指令。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器存储系统,其中该第一非易失性 存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片为单级单元NAND快闪存储器或多 级单元NAND快闪存储器。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器存储系统,其中该传输接口为 PCI Express接口、USB接口、IEEE 1394接口、SATA接口、MS接口、MMC 接口、SD接口、CF接口或IDE接口。

7.一种控制器,其适用控制一非挥性存储器存储系统的一存储器模块, 该存储器模块至少包括一第一非易失性存储器芯片与一第二非易失性存储器 芯片,并且该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片会通过 一芯片使能管脚同时接收一芯片使能信号而使能,该控制器包括:

一存储器接口,用以存取该存储器模块;以及

一微处理器,耦接至该存储器接口且用以输出该芯片使能信号,

其中当该微处理器执行一多信道存取时,该微处理器会在以该芯片使能 信号使能该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片后对该第 一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片下达一存取指令,并且

当该微处理器执行一单信道存取时,该微处理器会在以该芯片使能信号 使能该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片后对该第一非 易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片的其中之一下达该存取指 令,且对该第一非易失性存储器芯片与该第二非易失性存储器芯片的另一个 下达一非存取指令,其中该非存取指令不会异动存储在该第一非易失性存储 器芯片与该第二非易失性存储器芯片中的数据。

8.如权利要求7所述的控制器,其中该存取指令为写入指令或读取指令。

9.如权利要求7所述的控制器,其中该非存取指令为重置指令或状态查 询指令。

10.如权利要求7所述的控制器,其中该第一非易失性存储器芯片与该 第二非易失性存储器芯片为单级单元NAND快闪存储器或多级单元NAND 快闪存储器。

11.如权利要求7所述的控制器,其中该非挥性存储器存储系统为一快 闪存储卡或一固态硬盘。

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