[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810111499.8 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101515598A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 李圣勋 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
在半导体衬底上形成的隧道绝缘层、用于浮置栅极的导电层、介电层、用于控制栅极的导电层和栅电极层；和
在所述栅电极层的侧壁上形成的保护层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护层包括氮化物层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述保护层还包括氧化物层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述氮化物层厚度为20～
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述氧化物层厚度为20～
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极层由钨(W)形成。
7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在半导体衬底上形成隧道绝缘层、第一导电层、介电层、第二导电层和栅电极层；
图案化所述栅电极层以暴露所述第二导电层；
在所述栅电极层的侧壁上形成保护层；和
蚀刻所述暴露的第二导电层、所述介电层和所述第一导电层以形成栅极图案。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述保护层包括氮化物层和氧化物层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述氮化物层的厚度为20～
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述氧化物层的厚度为20～
11.根据权利要求7所述的方法，还包括在形成所述栅电极层之后形成硬掩模图案。
12.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一导电层和所述第二导电层均由多晶硅层形成。
13.根据权利要求7所述的方法，其中所述介电层具有由第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层构成的ONO结构。
14.根据权利要求7所述的方法，其中所述栅电极层包含钨(W)。
15.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在半导体衬底上形成隧道绝缘层、第一导电层、介电层、第二导电层、栅电极层和硬掩模图案；
实施使用所述硬掩模图案的蚀刻工艺以图案化所述栅电极层；
在所述图案化的栅电极层的侧壁上形成足够防止所述栅电极层氧化和氢离子渗入所述栅电极层的第一保护层；
在所述第一保护层的表面上形成第二保护层，以防止在蚀刻所述介电层的工艺期间对所述第一保护层的蚀刻损伤；和
蚀刻所述暴露的第二导电层、所述介电层和所述第一导电层以形成栅极图案。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一保护层由氮化物层形成。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二保护层由氧化物层形成。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一保护层厚度为20～
19.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二保护层的厚度为20～
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