[发明专利]晶粒自动对位、以及堆栈式封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种堆栈式封装结构的制造方法，包括：

(a)提供第一载体，该第一载体具有数个第一承载平台；

(b)提供数个第一晶粒，每一第一晶粒具有至少一个第一穿导孔，分别将所述第一晶粒置放于所述第一承载平台上；

(c)进行回焊制程，使得所述第一晶粒对齐于所述第一承载平台；

(d)形成第一封胶材料于所述第一晶粒间的间隙；

(e)移除该第一载体，以暴露出该第一穿导孔，且该第一封胶材料具有第一表面及一第二表面；

(f)分别形成第一上电路层及第一下电路层于该第一封胶材料的第二表面及第一表面，该第一上电路层是利用该第一穿导孔电性连接至该第一下电路层，以形成一第一封装单元；

(g)提供一第二封装单元；

(h)堆栈该第一封装单元及该第二封装单元；及

(i)进行切割制程，以形成数个堆栈式封装结构。

2.如权利要求1的方法，其中该步骤(a)的该第一载体为一硅晶片。

3.如权利要求1的方法，其中该步骤(a)中，每一该第一承载平台包含第一焊料层及第一金属垫块，且该第一金属垫块是位于该第一焊料层及该第一载体之间。

4.如权利要求1的方法，其中该步骤(a)之后更包括一形成第一助焊剂于所述第一承载平台上的步骤。

5.如权利要求1的方法，其中该步骤(b)中，每一第一晶粒包括第一表面及第二表面，该第二表面是朝向所述第一承载平台，该第二表面更包括第一湿润层，而该第一晶粒的第一表面更包括数个第一球垫。

6.如权利要求1的方法，其中该步骤(g)包括：

(g1)提供一第二载体，该第一载体具有数个第二承载平台；

(g2)提供数个第二晶粒，每一第二晶粒具有至少一个第二穿导孔，分别将所述第二晶粒置放于所述第二承载平台上；

(g3)进行回焊制程，使得所述第二晶粒对齐于所述第二承载平台；

(g4)形成一第二封胶材料于所述第二晶粒间的间隙；

(g5)移除该第二载体，以暴露出该第二穿导孔，且该第二封胶材料具有一第一表面及一第二表面；及

(g6)分别形成一第二上电路层及一第二下电路层于该第二封胶材料的第二表面及第一表面，该第二上电路层是利用该第二穿导孔电性连接至该第二下电路层，以形成该第二封装单元。

7.如权利要求6的方法，其中该步骤(g1)的该第二载体为一硅晶片。

8.如权利要求6的方法，其中该步骤(g1)中，每一该第二承载平台包含一第二焊料层及一第二金属垫块，且该第二金属垫块是位于该第二焊料层及该第二载体之间。

9.如权利要求6的方法，其中该步骤(g1)之后更包括一形成一第二助焊剂于所述第二承载平台上的步骤。

10.如权利要求6的方法，其中该步骤(g2)中，每一第二晶粒包括一第一表面及一第二表面，该第二表面是朝向所述第二承载平台，该第二表面更包括一第二湿润层，而该第二晶粒的第一表面更包括数个第二球垫。

11.一种堆栈式封装结构，包括：

第一封装单元，包括：

第一封胶材料，具有第一表面、第二表面及一第一容置槽，该第一容置槽是贯穿该第一封胶材料；

第一晶粒，位于该第一容置槽内，该第一晶粒具有一第一表面、第二表面及至少一第一穿导孔，该第一晶粒的第一表面是暴露于该第一封胶材料的第一表面，该第一晶粒的第二表面是暴露于该第一封胶材料的第二表面，该第一晶粒更包括数个第一球垫，位于该第一晶粒的第一表面；

第一上电路层，位于该第一封胶材料的第二表面上；及

第一下电路层，位于该第一封胶材料的第一表面上，该第一上电路层是利用该第一穿导孔电性连接至该第一下电路层；及

第二封装单元，堆栈于该第一封装单元上，且电性连接至该第一上电路层。

12.如权利要求11的堆栈式封装结构，更包括数个第一焊球，位于该第一下电路层。