[发明专利]利用具有插入区域的间隔物掩模的频率三倍化

权利要求书

1.一种用于制造半导体掩模的方法，包括：

提供具有牺牲掩模的半导体叠层，其中所述牺牲掩模由一系列线构成；

形成间隔物掩模，所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的 间隔物线和处于所述间隔物线之间的插入线，其中，所述间隔物线和所述 插入线具有相同宽度，并且所述间隔物掩模的间隔物线和插入线的频率是 所述牺牲掩模的所述一系列线的频率的三倍；

去除所述牺牲掩模；以及

修剪所述间隔物掩模的每一个所述间隔物线的一部分，以形成具有插 入线的经修剪的间隔物掩模，其中在形成所述具有插入线的经修剪的间隔 物掩模之后，所述牺牲掩模被去除。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲掩模的所述一系列线的 节距为6。

3.一种用于制造半导体掩模的方法，包括：

提供具有由一系列线构成的牺牲掩模的半导体叠层；

在所述半导体叠层上方并且与所述牺牲掩模共形地沉积间隔物层；

在所述间隔物层上方并且在所述牺牲掩模的所述一系列线之间内插地 沉积和图案化光刻胶层；

刻蚀所述间隔物层，以提供间隔物掩模，其中所述间隔物掩模具有与 所述牺牲掩模的所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线和插入线，其中所述 刻蚀所述间隔物层暴露所述牺牲掩模的顶表面；

修剪所述间隔物掩模的每一个所述间隔物线的一部分，以形成具有插 入线的经修剪的间隔物掩模；以及

在形成所述具有插入线的经修剪的间隔物掩模之后，去除所述牺牲掩 模。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述间隔物层由硅构成，所述牺 牲掩模的顶部由选自氮化硅和氧化硅的材料构成，并且刻蚀所述间隔物层 以提供所述间隔物掩模包括利用采用选自Cl₂和HBr的气体的干法刻蚀工 艺。

5.如权利要求4所述的方法，其中，去除所述牺牲掩模包括利用选自 热H₃PO₄湿法刻蚀、含水氢氟酸湿法刻蚀和SiCoNi刻蚀的刻蚀工艺。

6.如权利要求3所述的方法，其中，所述间隔物层由氧化硅构成，所 述牺牲掩模的顶部由选自氮化硅和硅的材料构成，并且刻蚀所述间隔物层 以提供所述间隔物掩模包括利用采用选自C₄F₈和CHF₃的气体的干法刻蚀 工艺。

7.如权利要求6所述的方法，其中，去除所述牺牲掩模包括利用选自 热H₃PO₄湿法刻蚀、SiCoNi刻蚀、Cl₂等离子体刻蚀和CF₄/O₂等离子体刻 蚀的刻蚀工艺。

8.如权利要求3所述的方法，其中，所述间隔物层由氮化硅构成，所 述牺牲掩模的顶部由选自氧化硅和硅的材料构成，并且刻蚀所述间隔物层 以提供所述间隔物掩模包括利用采用选自CH₂F₂和CHF₃的气体的干法刻 蚀工艺。

9.如权利要求8所述的方法，其中，去除所述牺牲掩模包括利用选自 含水氢氟酸湿法刻蚀、SiCoNi刻蚀、Cl₂等离子体刻蚀和CF₄/O₂等离子体 刻蚀的刻蚀工艺。

10.如权利要求3所述的方法，其中，所述间隔物掩模的间隔物线和 插入线的频率是所述牺牲掩模的所述一系列线的频率的三倍。