[发明专利]具有降低工艺变化敏感度的成像器光电二极管电容器结构

权利要求书

1.一种形成像素单元的方法，包括：

提供衬底，在所述衬底中形成光敏器件；

将电荷收集区连接到所述光敏器件；

形成相互串联的至少两个存储电容器；

在所述串联电容器和所述电荷收集区之间形成触点，使得所述串联电容器与所述电荷收集区串联。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述串联电容器之一通过以下步骤形成：

提供连接到所述触点的第一电极；

在所述第一电极之上提供介电层；以及

在所述介电层之上提供第二电极。

3.如权利要求1所述的方法，还包括在所述电荷收集区与所述串联电容器之间的绝缘层。

4.如权利要求3所述的方法，其中在形成在所述绝缘层中的管道中提供所述触点。

5.如权利要求4所述的方法，其中通过蚀刻所述绝缘层来形成所述管道。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述电荷收集区是浮动扩散区。

7.如权利要求1所述的方法，还包括在所述光敏器件和所述电荷收集区之间形成转移晶体管栅极。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述光敏器件是光电二极管。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述光敏器件是光门。

10.一种形成集成电路的方法，包括：

提供具有像素单元阵列的半导体衬底，其中所述像素单元中的至少一个通过以下步骤形成：

提供具有连接到电荷收集区的光敏器件的衬底；

在所述衬底之上提供材料层；

在所述材料层内形成管道；

在所述管道内形成触点；

将所述触点与相互串联的至少两个存储电容器连接，使得所述串联电容器与所述电荷收集区串联，所述串联电容器中的每个通过以下步骤形成：

提供第一电极，

在所述第一电极之上提供介电层，以及

在所述介电层之上提供第二电极，

将所述串联电容器的所述第一电极之一连接到所述触点；以及

在所述衬底内形成信号处理电路并将所述信号处理电路连接到所述像素单元阵列。