[发明专利]有机发光显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810096573.3 申请日: 2008-05-16
公开(公告)号: CN101355096A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 郭源奎;千海珍 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L23/60;H01L21/82
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;杨静
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示器 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机发光显示器及其制造方法,更具体地讲,涉及一种 能够保护驱动电路免受静电放电(ESD)损坏的有机发光显示器及其制造方法。

背景技术

有机发光显示器是一种自发光显示器,与液晶显示器(LCD)相比,有机 发光显示器的视角较宽、对比度较高、响应速度较快且功耗较低。由于不需 要背光,所以可将有机发光显示器制造得轻薄。

有机发光显示器包括:第一基底,具有像素(或显示)区和非像素(或非显 示)区;容器(或第二基底),为了密封设置成面对第一基底,并且通过诸如环 氧树脂的密封剂附着到第一基底。

在像素区中,多个有机发光二极管(OLED)以矩阵形式结合在扫描线和数 据线之间以形成像素。每个OLED包括阳极、阴极和形成在阳极和阴极之间 的有机薄层,其中,有机薄层包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。

在非像素区中,扫描线从像素区的扫描线延伸,数据线从像素区的数据 线延伸,设置电源供应线以操作OLED,设置扫描驱动器和数据驱动器以处 理从外部源通过输入焊盘供应的信号,以将经过处理的信号供应到扫描线和 数据线。扫描驱动器和数据驱动器包括用于将从外部源供应的信号转化为扫 描信号和数据信号以选择性地驱动像素的驱动电路。扫描驱动器和数据驱动 器可在制造OLED的过程中形成,或者可以被制造为另外的集成电路芯片以 被安装到有机发光显示器的基底上。由于有机发光显示器的基底由玻璃形成, 所以会在制造过程中或在有机发光显示器正被使用时产生大的静电放电 (ESD)。具体地讲,因为驱动电路由薄膜晶体管(TFT)组成并且被高速操作, 所以在有机发光显示器的外围部分中形成低电压,从而导致驱动电路直接接 收ESD。当接收ESD时,会损坏TFT的沟道和栅绝缘层,会由于栅电极和 布线之间的短路而产生错误操作,和/或会由于电性影响(electric influence)而 损坏驱动电路。当驱动电路高度集成(或被最小化)时,驱动电路被ESD损坏 得更加严重。

为了防止驱动电路被ESD损坏(或保护驱动电路不被ESD损坏),可以增 加能够释放高压的另外的保护元件或保护电路。然而,该元件或保护电路被 设计为释放制造工艺过程中产生的ESD,它在防止(或减少)使用有机发光显 示器的过程中产生的损坏的效果受到限制。

发明内容

本发明的方面旨在提供一种能够保护驱动电路免受静电放电(ESD)损坏 的有机发光显示器及其制造方法。

本发明的其他方面旨在提供一种不需要增加另外的保护元件(或ESD保 护电路)就能够防止(或减小)由ESD引起的损坏的有机发光显示器及其制造方 法。

本发明的实施例提供一种有机发光显示器,该有机发光显示器包括:基 底,具有像素区和非像素区;有机发光二极管(OLED),形成在像素区中并包 括第一电极、有机薄层和第二电极;驱动电路单元,形成在非像素区中以驱 动OLED;屏蔽层,形成在非像素区中并且形成在驱动电路单元上以电结合 到地电源;绝缘层,插入到驱动电路单元和屏蔽层之间。

本发明的另一个实施例提供一种有机发光显示器,该有机发光显示器包 括:基底,具有像素区和非像素区;有机发光二极管(OLED),在像素区中并 包括第一电极、有机薄层和第二电极;驱动电路单元,在非像素区中并用于 驱动OLED;屏蔽层,在非像素区中并且在驱动电路单元上,屏蔽层电结合 到地电源;绝缘层,插入到驱动电路单元和屏蔽层之间。这里,有机发光显 示器还可以包括护圈,护圈形成在非像素区的边缘部分处以被电结合到屏蔽 层。

本发明的另一个实施例提供一种制造有机发光显示器的方法。该方法包 括以下步骤:设置具有像素区和非像素区的基底;在像素区中的基底上形成 包括栅电极、源电极和漏电极的第一薄膜晶体管(TFT),在非像素区中的基底 上形成第二TFT;在像素区和非像素区中并且在第一TFT和第二TFT上形成 绝缘层;在绝缘层中形成通孔以暴露像素区中的第一TFT的源电极或漏电极; 形成通过在像素区中的通孔结合到源电极或漏电极的第一电极;在非像素区 中形成屏蔽层;在像素区中形成像素限定层;在像素限定层中形成开口,从 而暴露第一电极的一部分;在开口中的第一电极上形成有机薄层;在像素区 中形成第二电极。

附图说明

附图与说明书一起示出了本发明的示例性实施例,并且与描述一起用于 解释本发明的原理。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810096573.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top