[发明专利]蚀刻引线框结构有效
申请号: | 200810095218.4 | 申请日: | 2008-04-18 |
公开(公告)号: | CN101299425A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | L·Y·林 | 申请(专利权)人: | 费查尔德半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 引线 结构 | ||
背景技术
典型的半导体管芯封装包含引线框结构、贴装于该引线框结构的管芯 附连焊盘上的半导体管芯、以及模制材料。该引线框结构通常被蚀刻成凹 槽,以便使该模制材料锁定到该引线框结构。在常规的引线框结构中,蚀 刻凹槽互相面对。其一个例子如图2(a)所示。
这种常规的半导体管芯封装是有用的。然而,减小半导体管芯封装的 尺寸或增大管芯附连焊盘的尺寸是令人期望的。通过将半导体管芯做得更 小,该半导体管芯封装可以被用在更小的电子器件中。通过增大管芯附连 焊盘的尺寸,可使用大的半导体管芯。如果该半导体管芯包含功率晶体管, 则该较大的半导体管芯可以比较小的半导体管芯具备更高的额度电流。
本发明的实施例以单独或集合方式解决这些问题。
简短概要
本发明的各个实施方式涉及引线框结构,包括该引线框的半导体管芯 封装,及用于制造该引线框结构和该半导体管芯封装的方法。
本发明的一个实施方式涉及包括由第一薄部分及第一厚部分组成的第 一引线框结构部分的引线框结构。该第一薄部分由第一凹槽部分地限定。 该引线框结构也包括由第二薄部分及第二厚部分组成的第二引线框结构部 分。该第二薄部分由第二凹槽部分地限定。第一薄部分朝向第二凹槽,且 第二薄部分朝向第一凹槽。
本发明的另一实施方式涉及包括引线框结构的半导体管芯封装,该引 线框结构包括由第一薄部分和第一厚部分组成的第一引线框结构部分。该 第一薄部分由第一凹槽部分地限定,而该第一引线框结构部分是引线。该 引线框结构具有由第二薄部分和第二厚部分组成的第二引线框结构部分。 该第二薄部分由第二凹槽部分地限定。该第二引线框结构部分是管芯附连 焊盘。第一薄部分朝向第二凹槽,且第二薄部分朝向第一凹槽。半导体管 芯是位于管芯附连焊盘上的,且模制材料至少在该引线框结构的一部分及 该半导体管芯周围形成。
本发明的又一实施方式涉及一种方法,包括:获得包括第一引线框结 构前驱体部分及第二引线框结构前驱体部分的引线框结构前驱体;在第一 引线框结构前驱体部分形成第一凹槽,藉此该第一引线框结构前驱体部分 此后具有第一厚部分及第一薄部分;以及在第二引线框结构前驱体部分中 形成第二凹槽。该第二引线框结构前驱体部分此后具有第二厚部分及第一 薄部分。第一薄部分朝向第二凹槽,且第二薄部分朝向成形的引线框结构 中的第一凹槽。
然而本发明的再一实施方式涉及用于形成半导体管芯封装的方法。该 方法包括根据该上述方法形成引线框结构,且将半导体管芯附连至该第二 引线框结构部分。模制材料也可能在该引线框结构及该半导体管芯周围浇 铸。
下文对本发明的这些及其它实施方式进行进一步详细描述。
附图简要说明
图1示出根据本发明实施方式的引线框结构的一部分的横截面侧视 图。
图2(a)示出常规的引线框结构的一部分的横截面侧视图。
图2(b)示出根据本发明实施方式的引线框结构的一部分的横截面侧视 图。
图3(a)示出常规的引线框结构的一部分的横截面侧视图。
图3(b)示出常规的引线框结构的俯视图。
图4(a)示出根据本发明实施方式的引线框结构的一部分的横截面侧视 图。
图4(b)示出根据本发明实施方式的引线框结构的俯视图。
图5(a)-5(c)分别示出引线框结构的俯视图、仰视图及侧视图。
图6(a)-6(e)示出可在形成根据本发明实施方式的引线框结构时使用的 工艺步骤。
图7示出半导体管芯封装的横截面侧视图。
在附图中,相同附图标记指示相同元件,且对相同元件的描述可以或 可以不重复。
详细说明
公开了一种引线框结构。该引线框结构包括具有第一薄部分和第一厚 部分的第一引线框结构部分,其中该第一薄部分由第一凹槽部分地限定。 它还包括具有第二薄部分和第二厚部分的第二引线框部分,其中该第二薄 部分由第二凹槽部分地限定。第一薄部分朝向第二凹槽,且第二薄部分朝 向第一凹槽。
图1示出了引线框结构10的一部分,包括通过间隙14互相分离的第 一引线框结构部分10(a)及第二引线框结构部分10(b)。该间隙14在本发明 的一些实施方式中优选地至少是约6密耳。
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