[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，其具备：

电源控制电路，其对向构成被控制电路的晶体管的源极提供的电源电 压进行控制；

基板控制电路，其对向所述晶体管的基板提供的基板电压进行控制； 和

特殊基板控制电路，其对向所述基板提供的基板电压进行控制，

所述特殊基板控制电路具有：

多个二极管功能电路；

选择所述多个二极管功能电路的其中一个的二极管选择开关；

决定供给电压的多个电压决定用电阻；和

选择所述多个电压决定用电阻的其中一个的电阻选择开关。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

所述电源控制电路、所述基板控制电路和所述特殊基板控制电路协调 工作，以便缩短在电源转变后向所需的希望基板电压的移行时间。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

还包括系统控制电路，其根据从所述电源控制电路输出的内部电源电 压，控制所述基板控制电路及所述特殊基板控制电路的动作。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

根据所述电源电压与所述基板电压之间的耐压劣化抑制条件，改变所 述基板电压的供给方法，以便抑制电源转变中的所述晶体管的耐压劣化。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

还包括预先设定所述耐压劣化抑制条件的表格。

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

还包括用于存储所述表格的信息存储装置。

7.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

还包括耐压测试用的电路结构。

8.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，

根据所述电源电压与所述基板电压之间的锁死抑制条件，改变所述基 板电压的供给方法，以便抑制电源转变中的所述晶体管中的锁死的产生，

具备预先设定所述锁死抑制条件的表格。

9.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

包括用于存储所述表格的信息存储装置。

10.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

还包括锁死测试用的电路结构。

11.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，

所述电源控制电路、所述基板控制电路和所述特殊基板控制电路协调 工作，以便缩短在电源转变后向所需的希望基板电压的移行时间，

在对所述晶体管，降低所述电源电压并且控制所述晶体管的基板电压 之际，

至少由所述特殊基板控制电路提供对所述电源电压不产生锁死的偏 压，在所述晶体管的基板电压达到所希望的值之前，将所述特殊基板控制 电路的动作停止。

12.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其

所述电源控制电路、所述基板控制电路和所述特殊基板控制电路协调 工作，以便缩短在电源转变后向所需的希望基板电压的移行时间，

在对所述晶体管，提高所述电源电压或降低所述电源电压，并且控制 所述晶体管的基板电压之际，

至少由所述特殊基板控制电路提供对所述电源电压不产生耐压劣化 的偏压，在所述晶体管的基板电压达到所希望的值之前，将所述特殊基板 控制电路的动作停止。

13.一种电子装置，其中，

具备权利要求1所述的半导体集成电路装置。