[发明专利]半导体装置以及移位寄存器电路

权利要求书

1.一种半导体装置，具有在预定的第一节点和第二节点之间串联地连接并且控制电极相互连接的多个第一晶体管，其特征在于，

将上述多个第一晶体管间的各个连接节点作为第三节点，

从上述第一～第三节点以及上述控制电极分别成为比上述多个第一晶体管的阈值电压高的H电平的状态，变化为上述第一以及第二节点仍为H电平、上述控制电极的电位成为比上述阈值电压低的L电平时，与此对应地，上述第三节点的电平也下降到L电平。

2.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

使上述第三节点的电平下降的单元是上述控制电极和该第三节点之间的寄生电容。

3.根据权利要求2的半导体装置，其特征在于，

成为上述第三节点的电极的宽度比成为上述第一以及第二节点的电极的宽度宽。

4.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

作为使上述第三节点的电平下降的单元，还具有连接在上述控制电极和上述第三节点之间的电容元件。

5.根据权利要求2至4中任意一项的半导体装置，其特征在于，

在上述各第三节点，将上述控制电极和上述第三节点之间的电容成分设为C1，将不包含在该C1中的附随于上述第三节点的寄生电容设为C2，将上述控制电极的H电平和L电平之差设为Vd，将上述第一晶体管的阈值电压设为Vth时，满足C1≥C2×(Vd-Vth)/Vth的关系。

6.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

作为使上述第三节点的电平下降的单元，还具有二极管，该二极管连接在上述控制电极和上述第三节点之间，将上述控制电极侧作为阴极，将上述第三节点侧作为阳极。

7.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

作为使上述第三节点的电平下降的单元，还具有第二晶体管，该第二晶体管连接在上述第一晶体管的上述控制电极和上述第三节点之间。

8.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

上述多个第一晶体管是非晶硅薄膜晶体管。

9.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

上述多个第一晶体管是有机晶体管。

10.一种移位寄存器电路，其特征在于，

具有：输入端子，输出端子，第一时钟端子以及复位端子；将输入到上述第一时钟端子的第一时钟信号提供给上述输出端子的第一晶体管；使上述输出端子放电的第二晶体管；充电电路，根据输入到上述输入端子的输入信号，对上述第一晶体管的控制电极连接的第一节点进行充电；放电电路，根据输入到上述复位端子的复位信号，使上述第一节点放电，

上述充电电路包括串联地连接在上述第一节点和电源端子之间并且控制电极都连接到上述输入端子上的多个第三晶体管。

11.根据权利要求10的移位寄存器电路，其特征在于，

上述充电电路以如下方式构成：当上述输入信号成为比第三晶体管的阈值电压高的H电平时，上述多个第三晶体管导通，由此，对上述第一节点进行充电，之后，当该输入信号变为比上述阈值电压低的L电平时，上述多个第三晶体管间的各连接节点下降到L电平。

12.根据权利要求10的移位寄存器电路，其特征在于，

上述第二晶体管的控制电极连接到上述复位端子。

13.根据权利要求10的移位寄存器电路，其特征在于，

还具有将上述第一节点作为输入端、将上述第二晶体管的控制电极连接的第二节点作为输出端的反相器。

14.根据权利要求13的移位寄存器电路，其特征在于，

还具有第四晶体管，该第四晶体管具有连接到上述第二节点的控制电极，使上述第一节点放电。

15.根据权利要求10的移位寄存器电路，其特征在于，

具有两个上述第二晶体管，

将上述两个第二晶体管的各控制电极连接的节点分别作为第二以及第三节点，

基于预定的控制信号交替地驱动上述两个第二晶体管。