[发明专利]一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法有效

专利信息
申请号: 200810071777.1 申请日: 2008-09-16
公开(公告)号: CN101676441A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 李广社;唐长林;李莉萍 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/10 分类号: C30B29/10;C30B29/64;C01G53/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 单层 氢氧化 二维 纳米 晶片 及其 合成 方法
【说明书】:

技术领域:

发明涉及纳米材料技术领域,是发展新型制备二维纳米材料的重要方向。 尤其是继单层石墨后,在无模板或衬底条件下,获得了可以稳定孤立存在的又 一种新型单层单晶二维纳米材料。

背景技术:

低维纳米材料以其独特的尺寸效应,在很多方面表现出与块体材料截然不 同的性质。例如催化,信息储存材料,电学性质,发光性质等。

二维材料具有与其它低维材料不同的诸多特性从而备受关注。例如二维材 料具有特殊的朗道能级,电子态密度,自旋相干效应等理论结果,是许多组装 电子学器件的基本材料。但是长期以来人们都无法得到真正的二维材料,直到 2004年利用机械剥离法制备出高质量的单层石墨,人们才从自然界获得了真正 的二维材料。随之而来,在其它材料中无法实现的实验现象,如奇特的Dirac 电子特性,量子磁效应等,均在单层石墨中得到了一一验证。随着分子束外延 技术的拓展,科研工作者们已经生长出各种准二维的薄膜材料。但是由于这种 方法受衬底表面粗糙度,晶格失配比,及真空条件影响较大,用此方法生长的 准二维薄膜存在较多的缺陷,杂质等。同时这种方法为在非平衡条件下生长, 所的样品很难与衬底剥离而仍保持着较低的应力弛豫,意味着样品较难孤立存 在。

本发明提出了在溶剂热合成法中,不加入表面活性剂条件下合成出高质量 的单层二维β-Ni(OH)2纳米片。由于合成中未加入表面活性剂,所得样品表面 干净。由于合成中未加入衬底,且在准平衡条件下反应,所得二维结构可以很 好的分散在云母片上。我们所制备的样品在ab平面已经生长至近百纳米,比已 有的报道提高了近40倍。

发明内容:

本发明制备一种可以孤立存在且稳定的单层β-Ni(OH)2二维纳米单晶片。

该单晶片盐a-b平面生长,尺寸约为100nm,厚度为c-轴方向,大小约为1 个晶胞长度。是继单层石墨发现以后,在无模板或衬底条件下,又一可以稳定 孤立存在的单层二维材料。

本发明采用溶剂热法合成高质量的二维纳米β-Ni(0H)2材料,具体过程如 下:将可溶性镍盐溶于无水乙醇中,然后加入强碱溶液,搅拌并让混合溶液在 80~200℃反应,冷却后洗涤并干燥。

前述的合成方法中所用的可溶性镍盐为Ni(NO3)26(H2O)或Ni(Cl)26(H2O); 所述的强碱为氢氧化钠,氢氧化钾第一主族元素氢氧化物,所述的强碱的浓度 为OH-:Ni2+摩尔比为3~5:1;所述混合溶液的反应时间为3至10小时。

本发明的二维纳米β-Ni(OH)2材料制备技术简单、设备要求不高、成本低 廉,并且整个反应过程仅使用了乙醇试剂,没有其它表面活性剂。因此合成是 绿色环保的,样品表面较为干净。由于样品为水热法生长,因此无需物理方法 中的苛刻合成条件,也不需要高质量的衬底维持样品的稳定性或由此带来与衬 底难以剥离的困难,因此在可控生长高质量低维材料方面有极大的应用前景。

附图说明:

图1为β-Ni(OH)2的粉末X-射线衍射谱图,以Si粉为内标确定衍射峰的位置。

图2为β-Ni(OH)2的透射电镜照片,其中a图放大倍数低,b图放大倍数高。

图3为β-Ni(OH)2片的原子力显微照片(a),及其截面高度图(b)。

具体实施方式:

实例1:取Ni(NO3)26(H2O)溶于无水乙醇中,获得阳离子浓度为1mol/L的溶液; 将NaOH按摩尔比OH-:Ni2+=3:1溶解并逐滴加入上述溶液中,将所得混合物充 分搅拌,并移入100M1反应釜中(填充度为70%),在80~200℃反应3小时,反 应后冷却至室温,用蒸馏水抽滤并烘干,即得到所需绿色粉末样品。

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