[发明专利]一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法有效
| 申请号： | 200810071777.1 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101676441A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李广社;唐长林;李莉萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B29/64;C01G53/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单层 氢氧化 二维 纳米 晶片 及其 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片，其特征在于：该单晶片沿a-b平面生长，尺寸100nm；厚度为c-轴方向，大小为1个晶胞长度；单晶片表面清洁，无须任何衬底，孤立稳定地存在。
2.一种权利要求1所述的单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片的合成方法，其特征在于：将Ni(NO3)2·6(H2O)或Ni(C1)2·6(H2O)可溶性镍盐溶于无水乙醇中，然后加入强碱溶液，搅拌并让混合溶液在80～200℃反应3小时，冷却后洗涤并干燥；所述的强碱为氢氧化钠或氢氧化钾，且所述的强碱的浓度为OH-∶Ni2+摩尔比为3∶1。
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