[发明专利]新型紫外光通带滤波器材料四水硫酸镍钠晶体无效
| 申请号： | 200810070404.2 | 申请日： | 2008-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN101476159A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 庄欣欣;王霞;苏根博;郑国宗;贺友平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B7/04;G02B1/02;G02B5/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 紫外光 滤波器 材料 硫酸镍 晶体 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于紫外光通带的四水硫酸镍钠晶体，其特征在于，该晶体的分子式为Na2Ni(SO4)2·4H2O，分子量368.87，属单斜晶系，空间群P21/c，晶胞参数β＝100.5010(10)°，z＝2，Dc＝2.482g·cm-3，晶体为绿色，溶于水，空气中稳定。
2、一种权利要求1的四水硫酸镍钠晶体的生长方法，其特征在于：
(1)生长溶液的配制是采用分析纯的Na2SO4，NiSO4·6H2O试剂，其摩尔比约为1:1，在超纯水或二次蒸馏水中进行复合反应；
(2)生长籽晶是按(1)中配制的饱和溶液自发结晶获得；
(3)晶体采用溶液蒸发法生长，生长温区在60～70℃之间，生长溶液PH值为5～5.5，晶体正反向转速30～60转/分，生长速度为0.5～1毫米/天。
3、一种权利要求1的四水硫酸镍钠晶体的应用，其特征在于：该晶体用于紫外光通带滤波器制作，其工作环境温度从常温至110℃温度范围内。
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