[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200810056677.1 | 申请日: | 2008-01-23 |
公开(公告)号: | CN101222026A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 孙力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100016*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,以下简称:OLED)显示装置及其制造方法,尤其涉及一种发光层和第二传输层的表面为具有起伏的三维曲面的OLED显示装置及其制造方法。
背景技术
OLED显示技术是一种新型的平板显示技术,具有轻薄、高亮高效、广色域和响应快速等优点,其显示装置的结构由一对电极层(包括阴阳两个电极)以及一个以上的有机层组成,其中有机层夹设在两个电极之间形成多层叠结构。当在阴阳电极之间施加合适的偏压后,通过载流子(电子和空穴)注入、传输和复合致使发光层受激发光,进而达到显示的目的。
上述电子和空穴分别从相应的电极注入后,通过有机层的传输或阻挡到达多层叠结构中的某一区域进行复合,该区域称为复合区,复合区的位置通常位于不同有机物的界面(有机异质结)附近,形成以截面为底面,具有一定厚度的立体空间,该立体空间的厚度通常是几个纳米。对于OLED显示装置来说,可以有多个复合区,电子和空穴在复合区内复合,释放出能量,经过能量传递,激发邻近的发光基团发光。因此,复合区也可以看作是提供了发射光的能量源,故复合区体积的大小影响OLED显示装置发光的强弱。
现有技术中主要通过以下几种方法来提高OLED显示装置的亮度:
一种是增加发光层,也就是增加了复合区的个数,实现在相同载流子注入密度下的复合空间内,提高电子和空穴复合几率,获得高亮度的发射光,例如多单元串联起来的堆叠型OLED显示装置。这种显示装置的缺点是制作工艺复杂,提高了驱动电压,虽然提高了装置的电流效率,但是影响了功率效率。
另一种是增加驱动电压,提高载流子的注入密度,使得复合区的体积增大,但是在高电压和大电流密度下工作,降低了功率效率;并且,在高电压下,因为激子解离等造成较多的能量损失,极可能在薄膜缺陷处产生短路击穿烧毁装置,使得显示装置的寿命显著减短。
再一种是增加有机发光层的厚度,也可以使得复合区的体积增大,但是随着有机发光层厚度的增加,驱动电压也会增加,使得电流效率和功率效率均降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示装置及其制造方法,在不增大驱动电压和发光层厚度的前提下,增大复合区的体积,进而增大电子和空穴复合的几率,提高OLED显示装置的发光亮度。
本发明提供了一种OLED显示装置,包括依次形成在基板上的第一电极、第一传输层、发光层、第二传输层以及第二电极,所述发光层和所述第二传输层之间形成有复合区,与所述复合区接触的所述发光层的表面以及与所述复合区接触的所述第二传输层的表面均为具有起伏的三维曲面。
本发明提供了一种OLED显示装置的制造方法,包括:
步骤1、在基板上形成第一电极;
步骤2、采用化学气相沉积、物理气相沉积或旋涂的方法,在完成步骤1的基板上形成第一传输层;
步骤3、采用蒸镀、旋涂或喷墨打印的方法,在完成步骤2的基板上形成发光层;
步骤4、采用蒸镀、刮削、化学蚀刻或物理蚀刻以及压印的方法,将所述发光层的表面制备成具有起伏的三维曲面;
步骤5、采用化学气相沉积、物理气相沉积或旋涂的方法,在完成步骤4的基板上形成第二传输层;
步骤6、在完成步骤5的基板上形成第二电极。
本发明提供的OLED显示装置及其制造方法,在不增大驱动电压和发光层厚度的前提下,增大了复合区的体积,进而增大了电子和空穴复合的几率,提高了OLED显示装置的发光亮度。
附图说明
图1为本发明OLED显示装置实施例一的截面结构示意图;
图2为本发明OLED显示装置实施例二的截面结构示意图;
图3为本发明OLED显示装置实施例二的三维曲面的顶视图;
图4为本发明OLED显示装置实施例三的截面结构示意图;
图5为本发明OLED显示装置实施例四的截面结构示意图;
图6为本发明OLED显示装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择