[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200810056677.1 | 申请日: | 2008-01-23 |
公开(公告)号: | CN101222026A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 孙力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100016*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,包括依次形成在基板上的第一电极、第一传输层、发光层、第二传输层以及第二电极,所述发光层和所述第二传输层之间形成有复合区,其特征在于,与所述复合区接触的所述发光层的表面以及与所述复合区接触的所述第二传输层的表面均为具有起伏的三维曲面。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述具有起伏的三维曲面为具有弧形起伏的三维曲面。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述具有起伏的三维曲面为具有锯齿形起伏的三维曲面。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述具有起伏的三维曲面为具有方形起伏的三维曲面。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述具有起伏的三维曲面为具有无规则起伏的三维曲面。
6.根据权利要求1-5任一所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述复合区的个数为一个以上,所述三维曲面的个数为一个以上。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述第一传输层或第二传输层为由阻挡层、注入层和传输层叠加而形成的多层结构。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述发光层的材料为单一的有机物、掺杂的有机物。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,所述掺杂的有机物为荧光材料或磷光材料。
10.一种有机发光二极管显示装置的制造方法,其特征在于,包括:
步骤1、在基板上形成第一电极;
步骤2、采用化学气相沉积、物理气相沉积或旋涂的方法,在完成步骤1的基板上形成第一传输层;
步骤3、采用蒸镀、旋涂或喷墨打印的方法,在完成步骤2的基板上形成发光层;
步骤4、采用蒸镀、刮削、化学蚀刻或物理蚀刻以及压印的方法,将所述发光层的表面制备成具有起伏的三维曲面;
步骤5、采用化学气相沉积、物理气相沉积或旋涂的方法,在完成步骤4的基板上形成第二传输层;
步骤6、在完成步骤5的基板上形成第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择