[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管，包括基板、栅电极、有机栅绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极，其特征在于，所述有机栅绝缘层材料为紫外固化胶，包括自由基型紫外光固化胶粘剂，阳离子型紫外光固化胶粘剂以及两者的混合体系；所述自由基型紫外光固化胶粘剂包括基础树脂、单体、光引发剂和光敏剂以及助剂；所述有机半导体层的材料为以下材料中的一种或者多种：富勒烯C₆₀及其衍生物，苝Perylene及其衍生物。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机栅绝缘层厚度为1nm～500nm。

3.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，基础树脂包括不饱和聚酯树脂、丙烯酸系树脂和多硫醇-多烯体系；单体包括苯乙烯及其衍生物、单官能团和多官能团丙烯酸酯；光引发剂包括安息香及其衍生物安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚和乙酰苯衍生物；光敏剂包括二苯甲酮、硫杂蒽醌和米蚩酮；助剂包括增塑剂、触变剂、填充剂、防静电剂、阻燃剂和偶联剂。

4.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极和栅电极为导电薄膜。

5.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极和栅电极为金属。

6.根据权利要求1～4任一所述的机薄膜晶体管，其特征在于，晶体管结构为顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式中的一种，其中顶部接触式结构构成是部件从底端到顶端依次为基板、栅电极、有机栅绝缘层、有机半导体层以及在同一层面的源电极和漏电极，底部接触式结构构成是部件从底端到顶端依次为基板、栅电极、有机栅绝缘层、在同一层面的源电极和漏电极、有机半导体层，顶部栅极式结构构成是部件从底端到顶端依次为基板、在同一层面的源电极和漏电极、有机半导体层、有机栅绝缘层、栅电极。

7.一种有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①先对基板进行彻底的清洗，清洗后干燥；

②在基板的表面制备栅电极；

③形成栅电极的图形；

④在镀有栅电极的基板的上制备有机栅绝缘层，所述有机栅绝缘层材料为紫外固化胶，包括自由基型紫外光固化胶粘剂，阳离子型紫外光固化胶粘剂以及两者的混合体系；

⑤对形成的有机栅绝缘层进行处理；

⑥在已形成栅电极，以及已覆盖有机栅绝缘层的基板制备有机半导体层，所述有机半导体层的材料为以下材料中的一种或者多种：富勒烯C₆₀及其衍生物，苝Perylene及其衍生物；

⑦然后制备源电极和漏电极；

⑧形成源电极，漏电极图案。