[发明专利]防静电保护结构及其制作方法

权利要求书

1.一种防静电保护结构，包括P型衬底及其上面的P阱，所述P阱上设置有第一多晶硅栅，所述第一多晶硅栅的左侧下方设置有第一N+扩散区，所述第一N+扩散区左侧还设置有一个P+扩散区，所述P+扩散区的左侧设置有第一场氧化区，所述P+扩散区与所述第一N+扩散区之间相隔有第二场氧化区，所述P+扩散区上方设置有第一金属硅化物，所述第一N+扩散区上方设置有第二金属硅化物，所述第二金属硅化物位于所述第一多晶硅栅的左侧，所述第一金属硅化物、第二金属硅化物和第一多晶硅栅接地，其特征在于，所述第一多晶硅栅的右侧设置有第二多晶硅栅，所述第一多晶硅栅与所述第二多晶硅栅之间隔有第三金属硅化物，所述第三金属硅化物的下方设置有第二N+扩散区，所述第二N+扩散区的左侧延伸到所述第一多晶硅栅右侧下方，所述第二N+扩散区的右侧延伸到所述第二多晶硅栅左侧的下方，所述第二多晶硅栅的右侧下方设置有第三N+扩散区，所述第二N+扩散区与第三N+扩散区之间设置有第二沟道N型扩散区，所述第二沟道N型扩散区同时位于所述第二多晶硅栅的下方，所述第三N+扩散区上方设置有第四金属硅化物，所述第四金属硅化物位于所述第二多晶硅栅的右侧，所述第三N+扩散区的右侧设置有第三场氧化区，所述第二多晶硅栅与所述第四金属硅化物连接输出入焊垫。

2.一种防静电保护结构的制作方法，具有如权利要求1所述的防静电保护结构，其特征在于，在制作所述第一多晶硅栅的时候同时制作第二多晶硅栅，并且在此之前采用N型埋层注入的形式制作第二沟道N型扩散区，形成后的所述第二沟道N型扩散区与P阱之间的结反向击穿电压不低于所述输出入焊垫的正常工作电压。

3.一种防静电保护结构的制作方法，具有如权利要求1所述的防静电保护结构，其特征在于，在制作所述第一多晶硅栅的时候同时制作第二多晶硅栅，并且在此之后透过所述第二多晶硅栅通过注入方式形成所述第二沟道N型扩散区，形成后的所述第二沟道N型扩散区与P阱之间的结反向击穿电压不低于所述输出入焊垫的正常工作电压。