[发明专利]一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种纳米氧化锌场效应晶体管的制备方法，其特征在于具体步骤为：

(1)通过光刻腐蚀或者剥离工艺在衬底上制作图形化栅电极；

(2)在栅电极上外延生长栅绝缘层材料；

(3)采用光刻腐蚀或者剥离工艺在栅绝缘层上制作源漏电极；

(4)采用物理气相淀积斜溅射或者先淀积ZnO籽晶层再等离子刻蚀的方法在源漏电极的侧壁上生长ZnO籽晶层；

(5)采用溶液法在ZnO籽晶层上生长ZnO纳米棒，将横向生长的ZnO纳米棒作为导电沟道层；

其中，栅电极和源漏电极材料厚度为50nm-1um，栅绝缘层厚度为10nm-500nm，导电沟道层的厚度为10nm-200nm；

ZnO籽晶层的生长采用物理气相淀积斜溅射的方法，将样品倾斜40～50度进行溅射，仅仅在源漏电极的一侧淀积ZnO籽晶层；或者采用物理气相淀积、原子层淀积或溶胶凝胶法在源漏电极表面大面积生长ZnO籽晶层，然后通过等离子刻蚀的方法去除源漏电极顶端以及栅绝缘层上的ZnO籽晶层，仅保留源漏电极侧壁上的ZnO籽晶层；

溶液法在ZnO籽晶层上生长ZnO纳米棒的具体步骤为：将硝酸锌或醋酸锌，与六次甲基四胺、二甲基胺硼烷、氨水或者乙二胺中任意一种以摩尔比为1∶1至3∶1之间溶于去离子水中配制反应溶液，溶液中锌离子的浓度为0.01～0.04mol/L，用支架将源漏电极侧壁覆盖有籽晶层的衬底垂直放入反应溶液中，再把装有反应溶液和衬底的容器放入水浴锅中进行加热，反应温度在50℃～100℃，生长时间0.5～6h，反应完毕后取出样品，用去离子水冲洗并用氮气吹干，即制得ZnO纳米棒。