[发明专利]存储单元组合规律的验证方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储芯片的测试领域，尤其涉及存储芯片中相同存储单元组合的验证方法。

背景技术

存储芯片是目前电子消费品市场常见的电子产品。存储芯片可有效的存储一定容量的数字信息。存储芯片产品通常是由若干相同的存储单元重复组成，因此在存储芯片的设计阶段通常只设计基本的存储单元，然后将所述基本的存储单元按照一定的规律组合形成完整的存储芯片产品。在对制作好的存储芯片测试时需验证存储单元的组合(Scramble)规律是否与设计阶段的组合规律相符。只有制作存储单元的组合规律与设计阶段的组合规律相符的存储芯片，在后续的测试阶段才可对失效的单元进行准确的定位，做产品的失效分析来达到提高存储芯片的性能和良率的目的。

传统存储芯片上存储单元组合规律的验证方法是采用光学显微镜和激光对所验证芯片制造人为损伤凹口；然后采用测试机对人为制造有损伤的存储芯片进行测试，确定测试机上测试到的存储芯片位图(bitmap)上损伤位置；比对实际人为在存储芯片制作损伤的位置及测试到的存储芯片位图上损伤的位置就可验证实际制作的存储芯片存储单元的组合与预期设计的存储单元的组合是否一致。传统方法由于激光损伤的面积会很大，因而不能准确确定实际损伤的存储单元的物理位置。因此，在确定存储芯片人为制造损伤的位置只能进行大致的确认，即位置的精确性较低，从而造成比对结果的精确性低。同时，采用激光对所验证的存储芯片制造人为损伤存在激光的能量难以控制的问题，易导致损伤过度造成存储芯片的整体失效的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储单元组合规律的验证方法，以解决传统存储芯片上存储单元组合的验证方法存在的精确性较低及其人为制造的损伤易导致存储芯片整体失效的问题。

为达到上述目的，本发明的存储单元组合规律的验证方法，其中，存储单元重复组合为存储芯片。该存储芯片包括存储单元的有源区层、形成在有源区表面的介质层和介质层上的金属连线层。本发明的存储单元组合规律的验证方法包括以下步骤：步骤1：在待验证的存储芯片上标记待损伤位置；步骤2：采用聚焦离子束在待损伤位置制作预定面积和深度的损伤凹口；步骤3：采用测试机测试已制作好损伤凹口的存储芯片，标记测试机测试到的存储单元失效位置；步骤4：去除存储芯片存储单元有源层表面的介质层和金属连线层，确定步骤2制作的损伤凹口的位置；步骤5：比对步骤3测得的存储单元失效位置与步骤4确定的损伤凹口的位置。步骤1中标记待损伤的位置是采用光学显微镜和激光在待验证的存储芯片标记若干个待损伤位置。

进一步地，所标记的若干个待损伤位置团簇在待验证的存储芯片的一角。步骤2制作的损伤凹口的待损伤位置为团簇在待验证存储芯片一角的若干待损伤位置中的其一。在步骤2和步骤3之间还包括用金属填充损伤凹口的。进一步地，采用化学气相法沉积金属填充所述损伤凹口。填充损伤凹口的金属采用铂、钨或钼金属。步骤4去除所述存储芯片有源层表面的介质层和金属连线层采用湿法蚀刻去除。其中，湿法蚀刻采用氟化氢溶液。

与传统存储芯片上存储单元组合规律的验证方法相比，本发明的存储单元组合规律的验证方法，通过采用离子聚焦束制作存储芯片上的损伤凹口可精确控制制作的损伤凹口的面积及深度，避免因损伤过度造成芯片整体失效的问题出现。通过去除存储芯片上有源层表面的介质层和金属连线层可精确确定损伤的存储单元的位置，因此可更精确得到存储芯片上实际损伤的存储单元物理地址与所测试的存储芯片位图上损伤的存储单元的逻辑地址的比较结果，提高存储单元组合验证的精确性。

附图说明

以下结合附图和具体实施例对本发明的存储单元组合的验证方法作进一步详细具体的说明。

图1是本发明的存储单元组合的验证方法示意图。

具体实施方式

本实施例的存储单元组合的验证方法，其中，存储单元重复组合为存储芯片，存储单元按照一定的规律组合形成存储芯片的存储单元完整结构。为验证制作的存储芯片上存储单元的组合规律是否符合预先设计阶段存储单元的组合规律，就需对制作好的存储芯片进行验证。

本实施例所述的存储单元组合的验证可有效保证后续的测试中能对失效的存储单元进行准确的定位，提高存储芯片的性能和良率。通常存储芯片上包括存储单元的有源区层、有源区层表面的介质层和介质层上的金属连线层。